[发明专利]一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器在审
| 申请号： | 202010487634.X | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111682104A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 钟智勇;彭凌飞;金立川;唐晓莉;文天龙;廖宇龙;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L43/04 | 分类号： | H01L43/04;H01L43/06;H01L43/14;G01R33/07 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 平面 工艺 异质结 三维 磁场 测量 霍尔 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器，其特征在于，所述霍尔传感器包括衬底，以及形成于衬底之上、位于中心的正方体结构的中心电极，形成于衬底之上、与中心电极的四个侧面紧密接触的四个相同的十字形磁感应区域，所述十字形磁感应区域包括自下而上依次设置的沟道层、隔离层、帽层和钝化层，其中，隔离层中设置δ掺杂层；所述十字形磁感应区域中，远离中心电极的末端设置接地电极，接地电极完全覆盖末端表面，两臂的末端设置测量电极，测量电极完全覆盖末端表面。
2.根据权利要求1所述的基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器，其特征在于，所述衬底、沟道层、隔离层、帽层和钝化层均采用未掺杂的本征材料，所述钝化层为Si3N4或SiO2。
3.根据权利要求1所述的基于平面工艺的异质结三维磁场测量霍尔传感器，其特征在于，所述沟道层的厚度为0.2微米，隔离层的厚度为0.3微米，帽层的厚度为0.5微米，钝化层的厚度为0.5微米，δ掺杂层与隔离层下表面之间的距离为5纳米。
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