[发明专利]基于二维和三维钙钛矿复合结构的突触晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010487655.1 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111628078B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陈大正;张春福;田百川;庞商政;朱卫东;樊刚;张进成;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 维和 三维 钙钛矿 复合 结构 突触 晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于二维和三维钙钛矿复合结构的突触晶体管，自下而上包括：玻璃衬底（1）、透明氧化物栅电极（2）、钙钛矿区（3）、源电极（4）、漏电极（5）、封装保护层（6），其特征在于：
所述钙钛矿区（3）自下而上分为离子介质层（31）、离子阻挡层（32）和导电沟道层（33）；
该离子介质层（31）采用三维钙钛矿材料，其作为突触晶体管的栅极，用于模拟生物神经突触前膜；
该离子阻挡层（32）采用氧化物材料，用于防止离子介质层（31）中的离子流入导电沟道层（33）；
该导电沟道层（33）采用二维钙钛矿材料，用于有效实现信号的转移。
2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，玻璃衬底(1)采用透光率大于80%的导电玻璃，使光可以从衬底一侧进入器件。
3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，透明氧化物栅电极（2）采用FTO或ITO材料。
4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：
所述离子介质层（31）采用的三维钙钛矿材料，是厚度为300-500 nm的有机无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3或纯无机钙钛矿CsPbBr3；
所述离子阻挡层（32）采用的氧化物材料，是厚度为10-20 nm的Al2O3或MoO3；
所述导电沟道层（33）采用的二维钙钛矿材料，是厚度为100-300 nm的（PEA)2PbBr4。
5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，源电极（4）和漏电极（5）均采用厚度为100-200 nm的Au，且源电极（4）与漏电极（5）之间的间距为50-200 μm。
6.根据权利要求1所述晶体管，其特征在于，封装保护层（6）采用厚度为150-300 nm的聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。
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