[发明专利]利用对称中心缺陷的红外与激光兼容伪装膜系结构

权利要求书

1.一种利用对称中心缺陷含二维半导体材料的红外与激光兼容伪装膜系结构，其特征在于：其基本结构为B[AB]ⁿT[BA]ⁿB，其中，A、B膜层为固态材料层；膜层A与膜层B周期性交替构成层状结构，膜层排列系数n代表周期性交替排列的次数，取值2～4的整数；若A、B两膜层介质的折射率分别为n_A、n_B，单膜层厚度分别为d_A、d_B，则存在关系：n_Ad_A≈n_Bd_B≈2650nm，且n_Ad_A+n_Bd_B=5300nm；所述T为中心缺陷膜层，由半导体材料制成；

所述A膜层的材料为PbTe，折射率5.6，厚度d_A为472nm；所述B膜层的材料为SiO₂，折射率1.45，厚度d_B为1830nm；所述T层的材料为MoSe₂层状二维材料，厚度d_T为5 nm。

2.一种利用对称中心缺陷含二维半导体材料的红外与激光兼容伪装膜系结构，其特征在于：其基本结构为B[AB]ⁿT[BA]ⁿB，其中，A、B膜层为固态材料层；膜层A与膜层B周期性交替构成层状结构，膜层排列系数n代表周期性交替排列的次数，取值2～4的整数；若A、B两膜层介质的折射率分别为n_A、n_B，单膜层厚度分别为d_A、d_B，则存在关系：n_Ad_A≈n_Bd_B≈2650nm，且n_Ad_A+n_Bd_B=5300nm；所述T为中心缺陷膜层，由半导体材料制成；

所述A膜层的材料为Ge，折射率4.2，厚度d_A为631nm；所述B膜层的材料为ZnS，折射率2.2，厚度d_B为1204nm；所述T层的材料为MoSe₂层状二维材料，厚度d_T为5 nm。

3.一种利用对称中心缺陷含二维半导体材料的红外与激光兼容伪装膜系结构，其特征在于：其基本结构为B[AB]ⁿT[BA]ⁿB，其中，A、B膜层为固态材料层；膜层A与膜层B周期性交替构成层状结构，膜层排列系数n代表周期性交替排列的次数，取值2～4的整数；若A、B两膜层介质的折射率分别为n_A、n_B，单膜层厚度分别为d_A、d_B，则存在关系：n_Ad_A≈n_Bd_B≈2650nm，且n_Ad_A+n_Bd_B=5300nm；所述T为中心缺陷膜层，由半导体材料制成；

所述A膜层的材料为SiO₂，折射率1.45，厚度d_A为1830nm；所述B膜层的材料为PbTe，折射率5.6，厚度d_B为472nm；所述T层的材料为MoSe₂层状二维材料，厚度d_T为5 nm。