[发明专利]基底键合设备在审
申请号: | 202010488372.9 | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN112420549A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 金兑泳;韩一宁;金会哲 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘美华;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基底 设备 | ||
1.一种基底键合设备,用于将第一基底键合到第二基底,所述基底键合设备包括:
第一键合吸盘,被构造为将第一基底保持在第一键合吸盘的第一表面上;
第二键合吸盘,被构造为将第二基底保持在第二键合吸盘的第二表面上,第二表面面对第一键合吸盘的第一表面;
密封件,布置在第一键合吸盘与第二键合吸盘之间且与第一基底的至少一个边缘和第二基底的至少一个边缘相邻,并且被构造为封闭键合空间;以及
处理气体供应装置,被构造为向被密封件封闭的键合空间供应处理气体。
2.根据权利要求1所述的基底键合设备,其中,
密封件的第一部分可拆卸地结合到第一键合吸盘,并且
密封件的第二部分结合到第二键合吸盘,密封件的第二部分与密封件的第一部分相对。
3.根据权利要求2所述的基底键合设备,其中,
第一键合吸盘包括真空槽,并且
基底键合设备还包括真空泵,真空泵被构造为通过真空抽吸向真空槽提供真空压力以使密封件的第一部分附着到第一键合吸盘。
4.根据权利要求2所述的基底键合设备,其中,
密封件包括在密封件的第一部分与密封件的第二部分之间延伸的连接部分,连接部分从密封件的第一部分向密封件的第二部分倾斜地延伸。
5.根据权利要求1所述的基底键合设备,其中,
密封件包括柔性材料。
6.根据权利要求1所述的基底键合设备,所述基底键合设备还包括:
温度传感器,被构造为感测键合空间的温度。
7.根据权利要求6所述的基底键合设备,其中,
处理气体供应装置包括被构造为调整处理气体的温度的温度控制器,并且
所述基底键合设备还包括被构造为基于由温度传感器感测的键合空间的温度来控制温度控制器的操作的控制器。
8.根据权利要求1所述的基底键合设备,所述基底键合设备还包括:
压力传感器,被构造为感测键合空间的压力。
9.根据权利要求8所述的基底键合设备,其中,
处理气体供应装置包括被构造为调整处理气体的压力的压力控制器,并且
基底键合设备还包括被构造为基于由压力传感器感测的键合空间的压力来控制压力控制器的操作的控制器。
10.根据权利要求1所述的基底键合设备,所述基底键合设备还包括:
吹扫气体供应装置,被构造为向键合空间供应吹扫气体;以及
排气装置,被构造为将气体从键合空间通过布置在第二键合吸盘中的排气孔排出。
11.根据权利要求1所述的基底键合设备,其中,
第二键合吸盘包括多个处理气体供应孔,所述多个处理气体供应孔布置为沿着第二键合吸盘的外圆周按规则的间隔彼此分开,
处理气体供应装置包括:
主供应管线,连接到处理气体源;以及
多个分支供应管线,从主供应管线分支并分别延伸到所述多个处理气体供应孔,并且
所述多个分支供应管线的各自的长度相等。
12.根据权利要求1所述的基底键合设备,其中,
处理气体供应装置被构造为向键合空间供应氦气。
13.根据权利要求1所述的基底键合设备,其中,
密封件包括允许流体在密封件内部的键合空间与密封件外部的外部空间之间的移动的多个流出孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造