[发明专利]一种ESD器件结构及其设计方法在审
| 申请号： | 202010489344.9 | 申请日： | 2020-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN111710669A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 李勃纬 | 申请（专利权）人： | 朝阳微电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H01L23/495;H01L29/861 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 122000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 esd 器件 结构 及其 设计 方法 | ||
1.一种ESD器件结构及其设计方法，包括TVS芯片(1)、小电容导向整流管芯片(2)、金丝(3)和铜合金框架片(4)，其特征在于：所述TVS芯片(1)和小电容导向整流管芯片(2)粘接于铜合金框架片(4)的中央位置，所述TVS芯片(1)和小电容导向整流管芯片(2)与铜合金框架片(4)之间连接有金丝(3)。
2.根据权利要求1所述的一种ESD器件结构及其设计方法，其特征在于：所述设计方法如下：
TVS芯片(1)的设计与制造：TVS芯片(1)其结构是新型穿通形器件结构，首先在N衬底上外延生长一层P型高外延层，然后在外延层上注入调整形成一个P阱，再在该阱上通过扩散形成N区，使得在反向偏置下耗尽层延伸至N衬底区，形成N+P-P+N+四层结构，通过工艺控制形成薄的基区宽度，降低PN结击穿电压，以达到雪崩型击穿特性；
小电容导向整流管的芯片设计与制造：小电容导向整流管主要是平衡结面积和衬底电阻率来控制快电容和电流的影响，通过扩散结深的精度和N高阻外延的深度来控制其电压与电容，并通过重金属铂扩散工艺进一步降低电容；
TVS芯片(1)和小电容导向整流管芯片(2)与铜合金框架片(4)的粘接：将一枚TVS芯片(1)和4枚一组的小电容导向整流管芯片(2)分别通过导电胶粘接至铜合金框架片(4)中央区域，将两枚一组的小电容导向整流管芯片(2)通过导电胶粘接至铜合金框架片(4)左右区域。
3.根据权利要求1所述的一种ESD器件结构及其设计方法，其特征在于：所述TVS芯片(1)和小电容导向整流管芯片(2)与铜合金框架片(4)之间通过金丝(3)采用金丝球焊工艺实现电路连接。
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