[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202010489412.1 | 申请日: | 2020-06-02 |
公开(公告)号: | CN111725267A | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 刘婉婷 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括摄像区和围绕所述摄像区的显示区,以及
基板层,设于所述显示区;
薄膜晶体管层,设于所述显示区的所述基板层上;
槽孔,从所述薄膜晶体管层远离所述基板层的一面延伸至所述基板层的表面,所述基板层的部分裸露于所述槽孔中;所述槽孔环绕所述摄像区。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括
透明层,设于所述摄像区,且与所述基板和所述薄膜晶体管层同层设置。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,还包括
发光层,设于显示区的所述薄膜晶体管层上;
封装层,设于所述透明层、所述槽孔以及所述发光层上,并从所述显示区延伸至所述摄像区。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述基板层包括
第一PI层,设于所述显示区;
阻隔层,设于所述第一PI层上;
第二PI层,设于所述阻隔层上;
所述薄膜晶体管层设于所述第二PI层上,所述槽孔从所述薄膜晶体管层远离所述第二PI层的一面延伸至所述第二PI层的表面,所述第二PI层的部分裸露于所述槽孔中。
5.一种制备方法,用以制备如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
提供一玻璃衬底,从所述显示区延伸至所述摄像区;
制备基板层于所述玻璃衬底上,从所述显示区延伸至所述摄像区;
制备薄膜晶体管层于所述基板层上,从所述显示区延伸至所述摄像区;
制备槽孔,所述槽孔从所述薄膜晶体管层远离所述基板层的一面延伸至所述基板层的表面,所述基板层的部分裸露于所述槽孔中,所述槽孔环绕所述摄像区;
将所述摄像区的所述基板层和所述薄膜晶体管层除去。
6.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,将所述摄像区的所述基板层和所述薄膜晶体管层除去的步骤后还包括以下步骤:
制备透明层于所述摄像区的所述玻璃衬底上,且与所述基板层和所述薄膜晶体管层同层设置;
制备发光层于显示区的所述薄膜晶体管层上;
制备封装层于所述透明层、所述槽孔以及所述发光层上,并从所述显示区延伸至所述摄像区。
7.如权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在制备槽孔步骤中,包括通过干蚀刻方法蚀刻所述薄膜晶体管层,形成环绕所述摄像区的所述槽孔;所述摄像区的所述基板层和所述薄膜晶体管层是通过激光切割再剥离的方法除去的。
8.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述透明层的材料采用聚酰亚胺。
9.如权利要求6所述的制备方法,其特征在于,制备所述封装层的步骤后还包括
通过激光剥离技术将所述玻璃衬底剥离。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-4任一项所述的显示面板和屏下摄像头模组,所述屏下摄像头模组设于所述摄像区的所述透明层下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的