[发明专利]一种小电容导向整流管的制造方法

权利要求书

1.一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述制造方法通过高阻外延材料、减少芯片有源区面积和重金属掺杂进一步减少结电容，所述制造方法包括以下步骤，硅片清洗、一次氧化、隔离截止环光刻、隔离区离子注入、再分布、主结光刻、磷扩散、铂扩散、光刻引线孔、正面金属化、反刻铝、PECVD淀积、氮化硅光刻、等离子刻蚀、背面减薄、背面金属化和芯片贮存。

2.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述硅片清洗采用化学反应和熔洗的方法获得高洁净度的工件表面。

3.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述一次氧化在1100℃高温干氧或湿氧氛围中，持续时间160min，使硅片表面形成厚的二氧化硅薄层。

4.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述隔离截止环光刻选择光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在特定的薄膜上刻蚀出隔离截止环窗口。

5.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述隔离区离子注入将硼高能离子作为杂质注入进硅片，使硅片在限定的区域内获得规定的掺杂粒子总量，注入计量为1.0E15，注入能量为80kev，所述再分布在1050℃高温干氧或湿氧氛围中，持续时间150min，使硼高能离子注入结深为厚的薄层。

6.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述主结光刻选择光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在特定的薄膜上刻蚀出主结窗口，所述磷扩散将磷源作为杂质在950℃温度下进行50min的主结扩散，所述铂扩散将铂源作为杂质在930℃温度下进行30min的主结扩散。

7.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述光刻引线孔选择光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在特定的薄膜上刻蚀出引线孔，所述正面金属化在真空环境下采用电子束对铝进行轰击，产生金属蒸汽溅落在硅片正面上，形成3μm的金属膜，所述反刻铝选择光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在特定的薄膜上刻蚀出电极窗口。

8.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述PECVD淀积在350±5℃的温度下进行12±0.5min的淀积，形成SI3N4表面钝化膜，所述氮化硅光刻选择光刻板，采取定域感光和掩蔽腐蚀的方法，在特定的薄膜上刻蚀出氮化硅保护区域，所述等离子刻蚀在70％-95％的射频功率下，抽真空到0.1乇以下，产生辉光放电形成等离子体，使反应气体产生化学活性基，与规定区域的被腐蚀膜发生化学腐蚀反应，生成能被气流带走的气体，起到干法刻蚀的作用。

9.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述背面减薄使用规定的磨料对硅片进行减薄至220μm±10μm，所述背面金属化在真空环境下采用电子束对Ti/Ni/Ag进行轰击，产生金属蒸汽溅落在硅片正面上，形成的金属膜。

10.根据权利要求1所述的一种小电容导向整流管的制造方法，其特征在于：所述芯片贮存将生产的芯片置于适当的环境下进行长期贮存。