[发明专利]一种低热导高熵铝酸盐陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种低热导高熵铝酸盐陶瓷，其特征在于，该陶瓷由包括以下摩尔配比的原料制得：

2.根据权利要求1所述的低热导高熵铝酸盐陶瓷，其特征在于，原料组分中六水合硝酸钇、六水合硝酸钕、六水合硝酸钐、六水合硝酸铕、以及六水合硝酸镱的摩尔配比相同。

3.根据权利要求1所述的低热导高熵铝酸盐陶瓷，其特征在于，原料组分中六水合硝酸钇、六水合硝酸钕、六水合硝酸钐、六水合硝酸铕、六水合硝酸镱、以及九水合硝酸铝的摩尔比为1:1:1:1:1:2.5。

4.根据权利要求1所述的低热导高熵铝酸盐陶瓷，其特征在于，原料组分中六水合硝酸钇、六水合硝酸钕、六水合硝酸钐、六水合硝酸铕、六水合硝酸镱、以及九水合硝酸铝为粉体材料。

5.根据权利要求1所述的低热导高熵铝酸盐陶瓷，其特征在于，该铝酸盐陶瓷的纯度不低于99wt％，相对密度不低于97％，室温热导率不高于1.5W·m^-1·K^-1。

6.一种低热导高熵铝酸盐陶瓷的制备方法，其特征在于，用于制备上述权利要求1至5之一所述的低热导高熵铝酸盐陶瓷，包括以下步骤：

步骤1，将铝酸盐陶瓷的原料在去离子水中进行溶解，溶解完成后得到溶液，在得到的溶液中加入过量氨水，使溶液的pH值调至9～10，有沉淀物质析出，过滤，取滤饼即为沉淀物质；

步骤2，将步骤1得到的沉淀物质进行干燥处理得到混合粉末，将干燥后的粉末放入高温炉中进行煅烧，得到陶瓷粉体；

步骤3，将步骤2得到陶瓷粉体放入放电等离子烧结炉中进行高温烧结，气氛为真空，烧结温度不低于步骤2中煅烧温度，烧结时间不长于30min，烧结压强控制在15～40MPa，得到铝酸盐陶瓷。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤2中，煅烧温度为1500～1700℃，煅烧时间为1.5～5h。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，烧结温度为1600～1800℃，烧结时间为3～10min。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，烧结压强控制为20～30MPa。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，升温速率为50～120℃/min。