[发明专利]一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010492961.4 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN111579535B 公开(公告)日: 2023-03-31
发明(设计)人: 姚一村;陈南光;王宗良;田振;张丽强;任世杰;纪红柱 申请(专利权)人: 聊城大学
主分类号: G01N21/45 分类号: G01N21/45;G02B6/245
代理公司: 青岛致嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 37236 代理人: 高维波
地址: 252059 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 压缩 光纤 马赫 干涉 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:

步骤A:部分去除单模光纤或少模光纤一侧的包层,得到一个平行于纤芯中轴线的平面;

步骤B:在步骤A所得到的平面上继续刻蚀形成两条沟槽;所述两条沟槽的边缘为直线,所述直线互相平行;所述两条沟槽相对于光纤中轴线成对称分布;两沟槽内侧壁的间距小于光纤基模尺寸;

通过沟槽对光纤芯层进行额外的限制,此时芯层在两个维度上分别处于“弱导”条件和远离截止的“强导”条件,使得光纤芯层内存在一系列有效折射率远低于光纤包层的特殊模态,即称之为光纤“离轴”模态。

2.一种芯区压缩型光纤马赫-曾德干涉器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤A:部分去除单模光纤或少模光纤双侧的包层,形成两个相对的平面;

步骤B:在步骤A形成的两平面上,刻蚀形成两个沟槽;沟槽底部与光纤中轴线间的距离小于光纤基模模场分布半径;

通过沟槽对光纤芯层进行额外的限制,此时芯层在两个维度上分别处于“弱导”条件和远离截止的“强导”条件,使得光纤芯层内存在一系列有效折射率远低于光纤包层的特殊模态,即称之为光纤“离轴”模态。

3.权利要求1或2所述制备方法获得的干涉器在制备光纤传感器方面的应用。

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