[发明专利]硅光子晶圆的打点标记方法及装置

权利要求书

1.一种硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，包括：

确定所述硅光子晶圆中是否存在失效芯片；

若所述硅光子晶圆中存在失效芯片，根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记，包括：

根据所述失效芯片的失效模式及对应所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式及所述失效程度的针痕标记；

其中，所述根据所述失效芯片的失效模式及对应所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式及所述失效程度的针痕标记，包括：

根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的第一标记；

根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效程度的第二标记。

2.根据权利要求1所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，不同所述失效模式对应的所述第一标记的针痕数量相同且针痕排列不同；

或者，

不同所述失效模式对应的所述第一标记的针痕数量相同且针痕的打点位置不同。

3.根据权利要求2所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，不同所述失效程度对应的所述第二标记的针痕数量不同。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述硅光子晶圆的所有芯片上均设置有打点电极阵列，所述针痕标记位于所述打点电极阵列的一个或多个电极上。

5.根据权利要求4所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述打点电极阵列包括：第一电极阵列以及与所述第一电极阵列并列分布的第二电极阵列；其中：

所述第一电极阵列和所述第二电极阵列具有相同的电极阵列分布；

根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的第一标记，包括：

根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述第一电极阵列上的电极进行打点形成所述第一标记；

根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效程度的第二标记，包括：

根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述第二电极阵列上的电极进行打点形成所述第二标记。

6.根据权利要求5所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，不同的所述探针的探针长度不同；所述根据所述失效芯片的失效程度，通过探针对所述第二电极阵列上的电极进行打点形成所述第二标记包括：

根据所述第二标记的打点数量，调整所述探针与所述第二电极阵列之间的打点角度，通过等于所述打点数量的所述探针打点形成所述第二标记。

7.根据权利要求1所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，一个所述失效模式具有多个失效等级，不同所述失效等级对应了不同所述失效程度，以及不同所述失效模式具有的失效等级的个数相同。

8.根据权利要求1所述的硅光子晶圆的打点标记方法，其特征在于，所述根据所述失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针痕标记，包括：

根据所述硅光子晶圆中失效芯片的失效模式，通过探针对所述失效芯片进行打点形成标记所述失效模式的针孔阵列。