[发明专利]一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统在审
| 申请号： | 202010493187.9 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111646475A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杜俊平;张超;贠俊辉;胡艳仓;娄成军 | 申请（专利权）人： | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 471023 河南省*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体式 石墨 底座 电子 多晶 生产 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种一体式石墨底座，其特征在于，包括：
本体；
卡瓣结构，所述卡瓣结构设在所述本体上部，并与所述本体为一体式结构；所述卡瓣结构包括多个子卡瓣，所述多个子卡瓣之间形成有间隙；
电极配置孔，所述电极配置孔设在所述本体下部。
2.根据权利要求1所述的一体式石墨底座，其特征在于，所述多个子卡瓣等间距分布。
3.根据权利要求1所述的一体式石墨底座，其特征在于，所述子卡瓣包括4个。
4.根据权利要求1所述的一体式石墨底座，其特征在于，所述间隙的宽度为0.5～1.5mm。
5.根据权利要求1所述的一体式石墨底座，其特征在于，所述间隙的深度为30～55mm。
6.根据权利要求1所述的一体式石墨底座，其特征在于，所述电极配置孔的内径为30～65mm。
7.根据权利要求1所述的一体式石墨底座，其特征在于，所述电极配置孔的深度为30～55mm。
8.一种电子级多晶硅生产系统，其特征在于，包括：权利要求1～7任一项所述的一体式石墨底座。
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