[发明专利]一体式石墨底座和电子级多晶硅生产系统在审
申请号: | 202010493187.9 | 申请日: | 2020-06-03 |
公开(公告)号: | CN111646475A | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 杜俊平;张超;贠俊辉;胡艳仓;娄成军 | 申请(专利权)人: | 洛阳中硅高科技有限公司;中国恩菲工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 宋合成 |
地址: | 471023 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 体式 石墨 底座 电子 多晶 生产 系统 | ||
1.一种一体式石墨底座,其特征在于,包括:
本体;
卡瓣结构,所述卡瓣结构设在所述本体上部,并与所述本体为一体式结构;所述卡瓣结构包括多个子卡瓣,所述多个子卡瓣之间形成有间隙;
电极配置孔,所述电极配置孔设在所述本体下部。
2.根据权利要求1所述的一体式石墨底座,其特征在于,所述多个子卡瓣等间距分布。
3.根据权利要求1所述的一体式石墨底座,其特征在于,所述子卡瓣包括4个。
4.根据权利要求1所述的一体式石墨底座,其特征在于,所述间隙的宽度为0.5~1.5mm。
5.根据权利要求1所述的一体式石墨底座,其特征在于,所述间隙的深度为30~55mm。
6.根据权利要求1所述的一体式石墨底座,其特征在于,所述电极配置孔的内径为30~65mm。
7.根据权利要求1所述的一体式石墨底座,其特征在于,所述电极配置孔的深度为30~55mm。
8.一种电子级多晶硅生产系统,其特征在于,包括:权利要求1~7任一项所述的一体式石墨底座。
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