[发明专利]电子装置及利用其存储空间的方法有效

专利信息
申请号: 202010493211.9 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN112083876B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 郑元硕;李准祐;张震泰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 装置 利用 存储空间 方法
【说明书】:

各种实施例公开了一种电子装置,该电子装置包括:存储设备,包括非易失性存储器、存储装置控制器和存储接口,该非易失性存储器包括缓冲空间和存储空间;和处理器。根据各种实施例,处理器可以被配置为执行控制以:确定存储设备是否支持使用存储设备的非易失性存储器的缓冲空间的高速数据存储模式;基于存储设备支持高速数据存储模式,激活基于存储接口在第一状态下操作将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非易失性存储器的存储空间中的功能;以及基于在基于存储接口在第二状态下操作的预定时间段期间没有生成对存储设备的请求,将存储设备的存储接口转变到第一状态。

技术领域

本公开涉及一种电子装置及利用其存储空间的方法,以及例如涉及一种能够以高速数据存储模式将数据写入其存储设备(storage)中的电子装置及利用其存储空间的方法。

背景技术

为了使便携式终端存储大容量数据,优选地使用高密度数据存储方案。

尽管与低密度数据存储方案相比,高密度数据存储方案使得电子装置可以在其存储设备中存储更大容量的数据,但是它可能具有相对慢的数据存储速度的缺点。同时,高速数据传送技术的最新进展促进了用于快速存储传送的数据的技术的发展。

在高速数据存储模式下可以改进数据写入速度,在高速数据存储模式下,将存储空间的一部分分配为缓冲空间,使得数据在低密度数据存储模式下在缓冲空间中被缓冲,然后在高密度数据存储模式下被写入存储空间中。在存储设备自主执行将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中的操作的情况下,电子装置的处理器无法检查写入操作的进度状态以及由写入操作引起的电流消耗,这导致电子装置的性能劣化。

在以特定大小的缓冲空间执行在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间的操作的情况下,写入操作被挂起(suspend),直到取得(secure)缓冲空间的特定大小,这导致存储设备的缓冲空间和存储空间的可用容量减小。

如果响应于新的数据写入输入/输出请求在存储数据的中途执行在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间的操作,则这可能会使处理新的数据写入输入/输出请求的性能劣化。

发明内容

本公开的实施例提供了一种电子装置,该电子装置能够按下述方式在电子装置的处理器期望的时间点防止电子装置的性能劣化并且增加缓冲空间的可用容量,该方式使得处理器能够设置在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中的时间点,这允许处理器检查有关写入操作进度和由写入操作引起的电流消耗的信息。

本公开的实施例还提供一种电子装置,该电子装置能够按下述方式增加用于在高密度数据存储模式下写入数据的缓冲空间和存储空间的可用容量,该方式使得在存储接口在睡眠模式下操作时或在处理电子装置进入省电模式的过程的中途能够执行在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中的操作。

本公开的实施例还提供一种电子装置,该电子设备装置能够按下述方式防止和/或减少将数据写入存储空间中的操作使处理新的数据写入输入/输出请求的性能劣化,该方式使得在存储接口在睡眠模式下操作时或在处理电子装置进入省电模式的过程的中途能够执行在高密度数据存储模式下将在缓冲空间中缓冲的数据写入存储空间中的操作。

根据各种示例实施例,一种电子装置可以包括:存储设备,包括非易失性存储器、存储装置控制器和存储接口,所述非易失性存储器包括缓冲空间和存储空间;以及处理器,被配置为执行控制以:确定存储设备是否支持使用存储设备的非易失性存储器的缓冲空间的高速数据存储模式;基于存储设备支持高速数据存储模式,激活基于存储接口在第一状态下操作将在非易失性存储器的缓冲空间中缓冲的数据写入非易失性存储器的存储空间中的功能;以及基于在存储接口在第二状态下操作的预定时间段期间没有生成对存储设备的请求,将存储设备的存储接口转变到第一状态。

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