[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

多个第一突出部分，每个第一突出部分从所述半导体衬底的上表面突出，并且每个第一突出部分沿所述半导体衬底的所述上表面在第一方向上延伸，所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分是所述半导体衬底的一部分；

第一栅极电极，经由第一绝缘膜被形成在所述多个第一突出部分中的每个突出部分的上表面和所述多个第一突出部分中的每个突出部分的侧表面上，并且在与所述第一方向相交的所述第二方向上延伸；

第二栅极电极，经由作为电荷存储部分的第二绝缘膜被形成在所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分的所述上表面和所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分的所述侧表面上，并且所述第二栅极电极在所述第二方向上延伸，所述第二栅极电极经由绝缘膜与所述第一栅极电极的侧表面中的一个侧表面邻近；

第一半导体区域，以在平面图中与所述第一栅极电极相邻布置的形式，被形成在所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分中；

第二半导体区域，以在平面图中与所述第二栅极电极相邻布置的形式，被形成在所述多个第一突出部分中的每个第一突出部分中；

多个第一插头，分别被形成在所述多个第一突出部分上，并且沿所述第二方向排列；和

多个第二插头，分别被形成在所述多个第一突出部分上，并且沿所述第二方向排列，

其中所述第一栅极电极、所述第二栅极电极、所述第一半导体区域和所述第二半导体区域组成非易失性存储元件，

其中沿所述第二方向排列的所述多个第一插头的第N个插头，与在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的第2N-1个突出部分，以及所述多个第一突出部分的第2N个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域电连接，并且

其中沿所述第二方向排列的所述多个第二插头的第N个插头，与在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的第2N个突出部分，以及所述多个第一突出部分的第2N+1个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第二半导体区域电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：

多个第一半导体层，被形成为沿所述第二方向排列；以及

多个第二半导体层，被形成为沿所述第二方向排列；

其中沿所述第二方向排列的所述多个第一半导体层的第N个半导体层与以下每个表面接触：

在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的所述第2N-1个突出部分，和所述多个第一突出部分的所述第2N个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域的上表面；以及

在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的所述第2N-1个突出部分，和所述多个第一突出部分的所述第2N个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域的侧表面，

其中沿所述第二方向排列的多个第二半导体层的第N个半导体层与以下每个表面接触：

在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的所述第2N个突出部分，和所述多个第一突出部分的所述第2N+1个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域的上表面；以及

在沿所述第二方向排列的所述多个第一突出部分的所述第2N个突出部分，和所述多个第一突出部分的所述第2N+1个突出部分中的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域的侧表面，

其中所述多个第一插头经由所述多个第一半导体层分别与在所述多个第一突出部分的每个突出部分中形成的所述第一半导体区域电连接，并且

其中所述多个第二插头经由所述多个第二半导体层分别与在所述多个第一突出部分的每个突出部分中形成的所述第二半导体区域电连接。