[发明专利]一种钼承烧钵以及半导体陶瓷半导化工艺

权利要求书

1.一种用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述承烧钵是由金属钼制作而成。

2.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述承烧钵为长方体结构，长度方向的两侧面开设有透气孔；承烧钵包括外壳体和用于封盖外壳体上方敞口的盖板，盖板的上表面设置有把手。

3.根据权利要求1所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述长度方向的两侧面均匀开设有三排透气孔。

4.根据权利要求2所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述外壳体的内侧壁靠近上端设置有径向凸起，用于承托所述盖板并同时起到加强筋的作用。

5.根据权利要求4所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述径向凸起整体为圆环形结构或齿形结构。

6.根据权利要求4所述的用于半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于，所述盖板的边缘设置为向上的折边结构，折边与外壳体的内侧壁平行，且折边上端低于外壳体的内侧壁上端。

7.根据权利要求1所述的半导体陶瓷半导化工艺的承烧钵，其特征在于：所述承烧钵的边缘厚度为2mm。

8.一种半导体陶瓷半导化工艺，其特征在于，包括：

步骤一：在密闭炉体中充满75％H₂+25％N₂的还原气体，给加热钼丝通电使其加热到1000-1100℃；

步骤二：在权利要求1所述的承烧钵中装满待还原产品，打开密闭炉体的一侧炉门，通过推送机构将承烧钵送进密闭炉体内的耐高温炉管中进行半导化；

步骤三：推送完一个承烧钵，关闭所述一侧炉门，打开另一侧炉门取出一个承烧钵，关闭炉门，周而复始，连续作业。

9.根据权利要求8所述的半导体陶瓷半导化工艺，其特征在于：步骤二中所述耐高温炉管中排满承烧钵。

10.根据权利要求8所述的半导体陶瓷半导化工艺，其特征在于：步骤三中推送完一个承烧钵，等待20分钟后再下一次推送。