[发明专利]光检测器件及电子装置在审
申请号: | 202010493596.9 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN111799284A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 桝田佳明;宫波勇树;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳树;渡边一史;荻田知治 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/10;H04N5/225;H04N5/359;H04N5/369;H04N5/374;H04N9/04;G02B1/118 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 器件 电子 装置 | ||
1.一种光检测器件,其包括:
布置在二维阵列中的多个光电转换区域,所述多个光电转换区域包含第一光电转换区域,所述第一光电转换区域包含布置在半导体基板中的第一光电二极管;以及
分离区域,所述分离区域布置在所述多个光电转换区域之间,
其中,所述半导体基板的光接收表面包含第一蛾眼结构,
其中,所述第一蛾眼结构包含第一凹入部和第二凹入部,
其中,所述第一凹入部的第一深度在剖面图的深度方向上比所述第二凹入部的第二深度浅,且
其中,所述第一凹入部在所述剖面图中位于所述分离区域的第一分离部和所述第二凹入部之间。
2.如权利要求1所述的光检测器件,其还包括布置在所述二维阵列中的多个片上透镜,所述多个片上透镜中的每一者布置为对应于相应的所述光电转换区域。
3.如权利要求1所述的光检测器件,其中,所述分离区域包含沟槽,所述沟槽在所述剖视图中布置在所述多个光电转换区域之间的所述半导体基板中。
4.如权利要求1所述的光检测器件,其中,所述分离区域包含布置在所述半导体基板上方的遮光膜。
5.如权利要求1所述的光检测器件,其中,所述第一光电转换区域还包含第二光电二极管,其中,所述第一光电二极管和所述第二光电二极管共用浮动扩散区域。
6.如权利要求1所述的光检测器件,其中,所述第一蛾眼结构的第三凹入部布置在所述分离区域的第二分离部和所述第二凹入部之间,其中,所述第三凹入部的第三深度比所述第二深度浅。
7.如权利要求6所述的光检测器件,其中,所述第一蛾眼结构在所述剖视图中布置在所述第一分离部和所述第二分离部之间。
8.如权利要求1所述的光检测器件,其中,所述第一凹入部在所述半导体基板的所述光接收表面的被包含在所述第一蛾眼结构中的第一部分的第一端和第二端之间,且其中,所述第二凹入部在所述半导体基板的所述光接收表面的被包含在所述第一蛾眼结构中的第二部分的第三端和第四端之间。
9.如权利要求8所述的光检测器件,其中,所述第一深度是从与所述第一端或所述第二端共面的第一平面到与所述第一凹入部的底部共面的第二平面测量的,且其中,所述第二深度是从与所述第三端或所述第四端共面的第三平面到与所述第二凹入部的底部共面的第四平面测量的。
10.如权利要求9所述的光检测器件,其中,所述第一平面和所述第三平面共面,且其中,所述第二平面和所述第四平面不共面。
11.如权利要求8所述的光检测器件,其中,所述第一凹入部在所述剖视图中为三角形。
12.如权利要求1所述的光检测器件,其中,在所述第一分离部和所述第一凹入部之间设置有平坦部。
13.如权利要求1所述的光检测器件,其中,在所述半导体基板的与所述光接收表面相对的表面处布置有布线层。
14.如权利要求3所述的光检测器件,其中,所述沟槽的深度比所述第二深度深。
15.一种包括光检测器件的电子装置,所述光检测器件是如权利要求1-14中任一项所述的光检测器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的