[发明专利]氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底表面设置有堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层，所述沟道层和所述势垒层之间还设置有一插入层；

在所述堆叠结构的上表面形成导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域，所述导流装置包括多个非直线型导流块，且各个所述非直线型导流块均匀分布于同一直线上；

在所述堆叠结构的上表面形成栅极、源极和漏极，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触。

2.根据权利要求1所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，所述栅极形成于所述源极和漏极之间，且所述导流装置位于所述栅极朝向所述漏极的一侧，制备所述栅极、源极和漏极时，包括以下步骤：

在所述堆叠结构上表面形成欧姆接触的源极和漏极；

在所述堆叠结构上表面形成肖特基接触的栅极。

3.根据权利要求2所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，形成所述导流装置时，包括以下步骤：

在所述堆叠结构的上表面形成导流层；

图形化所述导流层，形成所述导流装置。

4.根据权利要求3所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，使用金属有机物化学气相沉积法制备所述导流层，所述导流层包括P型氮化镓导流层。

5.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

衬底；

形成于所述衬底表面的堆叠结构，所述堆叠结构包括沟道层和势垒层，所述沟道层和所述势垒层之间还设置有一插入层；

形成于所述堆叠结构的上表面的所述氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅极、源极和漏极；

形成于所述堆叠结构的上表面的导流装置，所述导流装置用于扩展所述氮化镓基高电子迁移率场效应管的沟道电场区域，且所述栅极的侧壁与所述导流装置接触，所述导流装置包括多个非直线型导流块，且各个所述非直线型导流块均匀分布于同一直线上。

6.根据权利要求5所述的氮化镓基高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅极形成于所述源极和漏极之间，且所述导流装置位于所述栅极朝向所述漏极的一侧。