[发明专利]一种光电探测电路、其驱动方法及探测基板、射线探测器有效

专利信息
申请号: 202010493776.7 申请日: 2020-06-03
公开(公告)号: CN111650632B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 陈江博;孟凡理;孙拓;李泽源;段立业 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24;H01L27/146
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 刘源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 光电 探测 电路 驱动 方法 射线 探测器
【权利要求书】:

1.一种光电探测电路,其特征在于,包括:存储模块、放大模块、第一读取模块、第二读取模块和复位模块;

所述存储模块与光电传感器的输出端耦接,所述存储模块被配置为存储所述光电传感器根据所接收第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号,并将所述第一光电流信号写入所述放大模块的控制端;或者,存储所述光电传感器根据所接收第二辐射剂量的所述射线生成的第二光电流信号,并将所述第二光电流信号写入所述第二读取模块的输入端;其中,所述射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量;

所述第一读取模块与探测信号接收端耦接,所述第一读取模块被配置为在第一扫描信号端的控制下,将经所述放大模块放大后的所述第一光电流信号写入所述探测信号接收端;

所述第二读取模块与所述探测信号接收端耦接,所述第二读取模块被配置为在第二扫描信号端的控制下,将所述第二光电流信号写入所述探测信号接收端;

所述复位模块与所述光电传感器的输出端耦接,所述复位模块被配置为在第三扫描信号端的控制下,采用第二电源端对所述光电传感器的输出端进行复位;

所述存储模块,包括:电容,所述电容的一端接地,另一端与所述光电传感器的输出端耦接;

所述放大模块,包括:第一晶体管,所述第一晶体管的栅极与所述光电传感器的输出端耦接,第一极与第一电源端耦接;

所述复位模块,包括:第四晶体管,所述第四晶体管的栅极与所述第三扫描信号端耦接,第一极与所述第二电源端耦接,第二极与所述光电传感器的输出端耦接。

2.如权利要求1所述的光电探测电路,其特征在于,所述探测信号接收端唯一;或者所述探测信号接收端包括第一探测信号端和第二探测信号端,所述第一探测信号端与所述第一读取模块耦接,所述第二探测信号端与所述第二读取模块耦接。

3.如权利要求1所述的光电探测电路,其特征在于,所述第一读取模块,包括:第二晶体管,所述第二晶体管的栅极与所述第一扫描信号端耦接,第一极与所述第一晶体管的第二极耦接,第二极与所述探测信号接收 端耦接。

4.如权利要求1所述的光电探测电路,其特征在于,所述第二读取模块,包括:第三晶体管,所述第三晶体管的栅极与所述第二扫描信号端耦接,第一极与所述光电传感器的输出端耦接,第二极与所述探测信号接收 端耦接。

5.一种如权利要求1~4任一项所述的光电探测电路的驱动方法,其特征在于,包括:

复位阶段,对第三扫描信号端加载第三扫描信号,使复位模块采用第二电源端对光电传感器的输出端进行复位;

积分阶段,对光电传感器加载第一辐射剂量的射线,使存储模块存储所述光电传感器根据所述第一辐射剂量的射线生成的第一光电流信号;或者,对所述光电传感器加载第二辐射剂量的所述射线,使所述存储模块存储所述光电传感器根据所述第二辐射剂量的射线生成的第二光电流信号;其中,所述射线的第一辐射剂量小于第二辐射剂量;

读取阶段,对第一扫描信号端加载第一扫描信号,使所述第一读取模块将经所述放大模块放大后的所述第一光电流信号写入探测信号接收端;或者,对第二扫描信号端加载第二扫描信号,使所述第二读取模块将所述存储模块存储的所述第二光电流信号写入所述探测信号接收端。

6.一种探测基板,其特征在于,包括:衬底基板,在所述衬底基板上呈阵列排布的如权利要求1~4任一项所述的光电探测电路,以及位于各所述光电探测电路所在层背离所述衬底基板一侧且与各所述光电探测电路一一对应耦接的光电传感器,所述光电探测电路包含的各晶体管与所述光电传感器为垂直结构。

7.如权利要求6所述的探测基板,其特征在于,所述光电探测电路包含的各晶体管的相同膜层同层设置,电容的一端与所述晶体管的栅极同层设置,另一端与所述晶体管的第一极和第二极同层设置。

8.如权利要求6所述的探测基板,其特征在于,所述光电传感器包括:与对应所述光电探测电路耦接的第一电极,位于所述第一电极背离所述衬底基板一侧的第二电极,以及在所述第一电极与所述第二电极之间层叠设置的P型半导体层、本征半导体层和N型半导体层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010493776.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top