[发明专利]一种基于表面等离子体波的二维过渡金属二硫化物层数可控制备及图案化的制备方法

权利要求书

1.一种基于表面等离子体波的二维过渡金属二硫化物层数可控制备及图案化的制备方法，包括以下步骤：

采用波长为670 nm的激光以全内反射的最大入射角照射在置于水溶液中的过渡金属二硫化物样品表面；

调控激发表面等离子体波的激光输出功率，得到层数可控的过渡金属二硫化物；所述层数为1层、2层或3层；

调控表面等离子体波的传播方向和刻蚀时间，得到图案化的层状过渡金属二硫化物；所述激光输出功率为3 mW~6 mW，得到三层的过渡金属二硫化物；

所述激光输出功率为8 mW~13 mW，得到两层的过渡金属二硫化物；

所述激光输出功率为17 mW~25 mW，得到单层的过渡金属二硫化物；

所述过渡金属二硫化物为二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或三元MoS_2xSe_2(1-x) ，0x1。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述波长为670 nm的激光由等离子体共振显微成像系统控制；

所述表面等离子体共振显微成像系统包括基于常规倒置显微镜框架，耦合超辐射发光二极管单色光源、光路控制系统、高数值孔径油浸物镜、镀金芯片、样品池、反射镜、分束器和CCD相机；

所述样品池置于镀金芯片上；镀金芯片置于所述高数值孔径油浸物镜上；

所述光路控制系统包括扫描振镜、透镜、偏振片和低通分束器。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述镀金芯片为经磁控溅射在玻璃盖玻片上依次镀上厚度为1.5~2 nm铬层和厚度为45~47 nm金层；

所述样品池的材质为聚二甲基硅氧烷。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述超辐射发光二极管单色光源为输出功率0.5~70 mW可调的670 nm激光。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述光路控制系统中的扫描振镜的方位角在0°~360°之间旋转。