[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基板，

具有包含多个像素区域的显示区域和上述显示区域以外的非显示区域，

并具备：

基板；

多个氧化物半导体TFT，其支撑于上述基板，并且分别与上述多个像素区域对应地配置；

多个栅极总线，其向上述多个氧化物半导体TFT供应栅极信号；

多个源极总线，其向上述多个氧化物半导体TFT供应源极信号；

至少1个干配线，其设置于上述非显示区域，传递信号；以及

多个其它配线，其分别以在从上述基板的法线方向观看时与上述至少1个干配线至少部分地重叠的方式配置，

上述有源矩阵基板的特征在于，

上述有源矩阵基板具有：

第1金属层，其在上述基板上包含由第1导电膜形成的电极和/或配线；

第2金属层，其隔着绝缘层配置在上述第1金属层的上方，并且包含由第2导电膜形成的电极和/或配线；以及

第3金属层，其隔着绝缘层配置在上述第2金属层的上方，并且包含由第3导电膜形成的电极和/或配线，

上述第1金属层、上述第2金属层以及上述第3金属层中的任意一个金属层包含上述多个源极总线，其它任意一个金属层包含上述多个栅极总线，

上述至少1个干配线形成于上述第1金属层、上述第2金属层以及上述第3金属层中的2个金属层，上述多个其它配线形成于另1个金属层，

上述至少1个干配线具有包含下部配线和上部配线的多层结构，上述下部配线形成于上述2个金属层中的一个金属层，上述上部配线形成于上述2个金属层中的另一个金属层，并且隔着绝缘层配置在上述下部配线上，上述下部配线与上述上部配线是电连接的。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，

上述多个氧化物半导体TFT中的每个氧化物半导体TFT包含：氧化物半导体层；以及栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在上述氧化物半导体层的一部分上，

上述第1金属层位于比上述氧化物半导体层靠上述基板侧的位置，

上述第2金属层包含上述栅极电极和上述多个栅极总线。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，

上述第1金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的源极电极和上述多个源极总线，

上述第3金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的漏极电极。

4.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，

上述第1金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的遮光层，

上述第3金属层包含上述多个氧化物半导体TFT的漏极电极和源极电极以及上述多个源极总线。

5.根据权利要求3或4所述的有源矩阵基板，

上述多个其它配线是从上述至少1个干配线被输入上述信号的多个分支配线，

还具备将各分支配线和上述至少1个干配线电连接的干配线连接部，

上述干配线连接部配置于在从上述基板的法线方向观看时上述各分支配线与上述至少1个干配线至少部分地重叠的区域。

6.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，

还具备栅极驱动器，上述栅极驱动器配置在上述非显示区域，包含具有多个级的移位寄存器，

上述至少1个干配线是传递向上述栅极驱动器输入的上述信号的至少1个栅极驱动器信号干配线，

上述信号从上述至少1个栅极驱动器信号干配线经由上述多个分支配线输入到上述移位寄存器的上述多个级。

7.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，

上述至少1个干配线的上述下部配线形成于上述第2金属层，上述上部配线形成于上述第3金属层，

上述多个分支配线形成于上述第1金属层。

8.根据权利要求5所述的有源矩阵基板，

上述至少1个干配线的上述下部配线形成于上述第1金属层，上述上部配线形成于上述第2金属层，

上述多个分支配线形成于上述第3金属层。