[发明专利]一种红外焦平面阵列及红外传感器读出电路

权利要求书

1.一种红外传感器读出电路，其特征在于，包括第一晶体管，第二晶体管，传感器，积分电容，迟滞比较器；

所述第一晶体管的源极连接电源，所述第一晶体管的漏极与所述传感器的第一端相连，所述第一晶体管的栅极与所述迟滞比较器的输出端相连；

所述第二晶体管的源极接地，所述第二晶体管的漏极与所述传感器的所述第一端相连，所述第二晶体管的栅极与所述迟滞比较器的所述输出端相连；

所述传感器的第二端分别与所述积分电容的第一端、所述迟滞比较器的输入端相连；

所述积分电容的所述第一端与所述迟滞比较器的输入端相连，所述积分电容的第二端接地；

其中，红外传感器读出电路的工作过程如下：读出电路开始工作，所述第一晶体管导通，电源电流经过所述第一晶体管流过所述传感器，对所述积分电容充电，当积分电容电压达到所述迟滞比较器的高阈值电压时，所述迟滞比较器的输出信号翻转，所述第一晶体管关闭，所述第二晶体管导通，所述积分电容的电荷量通过所述传感器流入所述第二晶体管，经过所述第二晶体管的源极流出到地，直到所述积分电容上的电压到达所述迟滞比较器的低阈值电压，所述迟滞比较器的输出信号翻转，所述第二晶体管关闭，所述第一晶体管导通，如此循环往复。

2.如权利要求1所述的红外传感器读出电路，其特征在于，所述第一晶体管为P型MOS管。

3.如权利要求1所述的红外传感器读出电路，其特征在于，所述第二晶体管为N型MOS管。

4.如权利要求1所述的红外传感器读出电路，其特征在于，所述传感器为电阻式传感器。

5.如权利要求1所述的红外传感器读出电路，其特征在于，还包括：计数器，所述计数器与所述迟滞比较器的输出端相连。

6.一种红外焦平面阵列，其特征在于，包括红外焦平面探测器和如权利要求1至5任一项所述的红外传感器读出电路。