[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种在具备RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)的基板处理装置中能够缓解等离子体引起的温度上升并防止温度上升引起的损伤及破损的基板处理装置。基板处理装置具备：腔室，对基板执行处理工艺；气体供应部，朝向所述基板供应气体或等离子体；等离子体产生部，设置于所述腔室的棚顶上表面并产生等离子体；气体供应管，与所述等离子体产生部连接并将所述等离子体向所述气体供应部供应；以及第一滑动引导部，将所述等离子体产生部以能够相对移动的方式连接于所述腔室。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置，更详细地涉及一种在具备RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)的基板处理装置中能够缓解等离子体引起的温度上升并防止温度上升引起的损伤及破损的基板处理装置。

背景技术

一般来说，基板处理装置在内部收纳基板，朝向基板供应各种气体而能够执行蒸镀、蚀刻或者清洁的工艺。在此情况下，为了更有效地进行工艺，可以供应等离子体。

图1是示出以往技术的基板处理装置10的侧截面图，图2是示出图1中位于腔室100的棚顶110上表面的等离子体产生部400和气体供应管410的图。

如图1以及图2所示，在腔室100的内侧下方设置支承基板W的基板支承部300，设置成基板支承部300通过支承杆310能够上下移动。

另一方面，在腔室100的内侧上方设置朝向基板W供应各种工艺气体或等离子体的气体供应部200，通过气体连接部210与在腔室100的棚顶110上表面设置的等离子体产生部400连接。

等离子体产生部400例如可以由RPS(远程等离子体源，Remote Plasma Source)构成。在此情况下，前述的气体供应管410可以由波导管(waveguide)构成，并可以由陶瓷等材质构成。

另外，气体供应管410通过第一结合部412和第二结合部414连接等离子体产生部400和气体连接部210之间。此时，第一结合部412和第二结合部414可以由铝等金属材质制造。

在前述的结构中，为了清洁腔室100内部，可以通过等离子体产生部400向腔室100内部供应等离子体。在此情况下，当从等离子体产生部400向气体供应管410供应等离子体时，气体供应管410的温度会上升。这是因为，当清洁气体变换为自由基(radical)时温度上升。另外，为了缩减腔室100内部的清洁工艺所需的时间，需要提高被供应的等离子体密度，然而若为了使等离子体密度上升，提高向等离子体产生部400供应的施加电压，则气体供应管410的温度会上升。

如前面所述，若气体供应管410的温度上升，则前述的第一结合部412以及第二结合部414的温度也会上升。在此情况下，气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的材质不同，因此热膨胀系数会不同。即，气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414在热膨胀时膨胀程度会彼此不同。

在此情况下，与陶瓷材质的气体供应管410相比，金属材质的第一结合部412以及第二结合部414的膨胀程度会相对更大。

因此，若如以往技术那样，等离子体产生部400在腔室100的棚顶110上表面上的位置固定而等离子体产生部400和气体连接部210之间的距离固定成恒定，则在第一结合部412以及第二结合部414的膨胀下，气体供应管410在两端部受力而可能诱发变形及损伤。

尤其，在第一结合部412以及第二结合部414的内侧，为了防止气体泄露而设置O型环(O-ring)等，然而若气体供应管410与第一结合部412以及第二结合部414的膨胀及收缩重复，则可能诱发所述O型环的损伤。如此，若在构成要件产生损伤或破损，则增加构成要件更换带来的基板处理装置10的停止运行时间(downtime)，使设备可靠性降低。