[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成第一掺杂材料层、沟道层和第二掺杂材料层的堆叠层；

对所述堆叠层进行刻蚀得到第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，在所述第一隔离沟槽中形成绝缘层；

通过所述第二隔离沟槽从侧向对所述沟道层进行刻蚀，保留所述绝缘层侧壁上的沟道层，以形成所述第一掺杂材料层和所述第二掺杂材料层之间的间隙；

通过所述第二隔离沟槽在所述间隙中形成栅介质层和栅极层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二隔离沟槽将所述堆叠层分隔为多个独立结构，每个所述独立结构中至少包括一个所述第一隔离沟槽，所述第一隔离沟槽将所述独立结构分隔为多个部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述独立结构中包括多个第一隔离沟槽时，多个所述第一隔离沟槽相交设置。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述第二隔离沟槽侧向对所述沟道层进行刻蚀，包括：

进行多次氧化去除工艺；所述氧化去除工艺包括：进行所述沟道层的氧化工艺，以在所述第二隔离沟槽中暴露的沟道层表面上形成氧化层；去除所述氧化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述堆叠层进行刻蚀得到第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，在所述第一隔离沟槽中形成绝缘层，包括：

对所述堆叠层进行刻蚀得到第二隔离沟槽，在所述第二隔离沟槽中形成隔离层；

对所述堆叠层进行刻蚀得到第一隔离沟槽，在所述第一隔离沟槽中形成绝缘层；

去除所述第二隔离沟槽中的所述隔离层。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂材料层、所述沟道层和所述第二掺杂材料层分别为硅锗、硅、硅锗，或硅、硅锗、硅，或锗、锗锡、锗。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底和所述第一掺杂材料层之间形成有缓冲层。

8.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述第一掺杂材料层和所述沟道层之间形成有所述第一掺杂材料层的本征层，所述沟道层和所述第二掺杂材料层之间形成有所述第二掺杂材料层的本征层。

9.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括应变材料层，用于为所述沟道层提供压应力或张应力。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

所述衬底上的第一掺杂材料层、沟道层和第二掺杂材料层的堆叠层；

所述堆叠层中的第一隔离沟槽和第二隔离沟槽，所述第一隔离沟槽中形成有绝缘层；

所述沟道层在所述第二隔离沟槽中凹于所述第一掺杂材料层和所述第二掺杂材料层，使所述第一掺杂材料层和所述第二掺杂材料层之间形成有间隙；所述沟道层位于所述绝缘层的侧壁；

所述间隙中形成有栅介质层和栅极层。