[发明专利]深沟道隔离结构及其制作方法

说明书

本发明公开了一种深沟道隔离结构及其制作方法，制作方法包括：提供半导体衬底，其上依次形成有与所述半导体衬底类型相反的外延层、浅沟道隔离以及氮化物；在浅沟道隔离上进行深沟道隔离的光罩工艺以及反应离子刻蚀；线性氧化，并采用TEOS淀积；TEOS刻蚀，以清除顶部和底部的氧化物；多晶硅淀积，进行CMP工艺以及去除氮化物；淀积氧化物和氮化物，进行LOCOS光罩工艺以及反应离子刻蚀；LOCOS氧化；去除氮化物；ILD淀积，Contact通过多晶硅与所述半导体衬底连接。本发明通过TEOS刻蚀步骤清除了顶部和底部的氧化物，为多晶硅填充提供了更大空间，从而使得多晶硅与半导体衬底直接接触，省略了接触阱的制作过程。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及一种深沟道隔离(Deep Trench Isolation，DTI)结构及其制作方法。

背景技术

传统的深沟道隔离结构如图1所示，需要与深P阱(Deep P-Well)进行结合以实现P型基板(P-substrate)的接触，具体地，Contact通过Deep P-Well与P-substrate进行连接。相应地，在上述深沟道隔离结构的制作过程中需要制作P型接触阱，还需要进行Deep P-Well的光罩工艺，制作流程复杂。

发明内容

本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中需要制作P型接触阱导致制作流程复杂的缺陷，提供一种深沟道隔离结构及其制作方法。

本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：

本发明的第一方面提供一种深沟道隔离结构的制作方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底，其上依次形成有与所述半导体衬底的类型相反的外延层、浅沟道隔离(shallow trench isolation，STI)以及氮化物；

在浅沟道隔离上进行深沟道隔离的光罩工艺以及反应离子刻蚀；

线性氧化，并采用TEOS(四乙氧基硅烷)淀积；

TEOS刻蚀，以清除顶部和底部的氧化物；

多晶硅淀积，进行CMP(Chemical Mechanical Polishing化学机制抛光)工艺，以及去除氮化物；

淀积氧化物和氮化物，进行LOCOS(Local Oxidation of Silicon局部硅氧化隔离)光罩工艺以及反应离子刻蚀；

LOCOS氧化；

去除氮化物；

ILD(Inter Layer Dielectric，层间介电)淀积，Contact通过多晶硅与所述半导体衬底连接。

较佳地，所述半导体衬底为P型，所述外延层为N型。

较佳地，所述半导体衬底为硅衬底。

本发明的第二方面还提供一种深沟道隔离结构，其利用上述第一方面提供的制作方法制成。

本发明的积极进步效果在于：通过TEOS刻蚀步骤清除了顶部和底部的氧化物，为后续的多晶硅填充提供了更大的空间，从而使得多晶硅与半导体衬底直接接触，省略了通常的接触阱的制作过程。

附图说明

图1为传统的深沟道隔离结构的示意图。

图2为本发明实施例1提供的深沟道隔离结构的制作方法流程图。

图3中(1)-(8)为本发明实施例1提供的深沟道隔离结构的制作过程示意图。

图4为本发明实施例2提供的深沟道隔离结构的示意图。

具体实施方式