[发明专利]一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法有效
| 申请号： | 202010495917.9 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111748769B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 何鋆;王琪;封国宝;杨晶;苗光辉;白春江;崔万照 | 申请（专利权）人： | 西安空间无线电技术研究所 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/24 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张丽娜 |
| 地址： | 710100 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 表面 高能 二次电子 发射 系数 方法 | ||
1.一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：该方法是指通过真空蒸镀技术在微波部件的银表面制备纳米量级厚度的NPB薄膜，降低微波部件银表面高能区的二次电子发射系数。
2.根据权利要求1所述的一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：具体步骤为：
第一步，将表面带有银镀层的微波部件放置到真空蒸镀系统中，抽真空；
第二步，用挡板遮挡微波部件的银镀层，打开NPB束源挡板，给NPB束源通电流并将NPB束源加热；
第三步，打开遮挡微波部件的银镀层的挡板，在微波部件的银镀层表面蒸镀NPB薄膜，蒸镀时间为4-40s，NPB分子的热蒸镀速度为
第四步，蒸镀结束后，断开NPB束源电流，待温度降至室温后取出微波部件，完成微波部件银镀层表面的NPB蒸镀，该NPB镀层能够降低银表面≥250eV能量范围的微波部件的二次电子发射系数，且该NPB镀层与微波部件表面的银镀层的兼容性好，NPB镀层的厚度为5nm-150nm，NPB镀层为一薄膜，NPB为N,N’-bis-(1-naphthl)-diphenyl-1,1’-biphenyl-4,4’-diamine。
3.根据权利要求2所述的一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：所述的第一步中，抽真空至10-4Pa。
4.根据权利要求2所述的一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：所述的第二步中，NPB束源加热温度为450-500℃。
5.根据权利要求4所述的一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：NPB束源加热温度为450℃。
6.根据权利要求4所述的一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：NPB束源加热温度为500℃。
7.根据权利要求1所述的一种降低银表面高能区二次电子发射系数的方法，其特征在于：所述的高能区是入射到银表面电子的能量范围为250-3000ev。
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