[发明专利]一种基于硅衬底上二维β-Ga2 在审
| 申请号： | 202010495981.7 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111613525A | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;常晶晶;张鹏亮;林珍华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 衬底 二维 ga base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将硒化镓晶体经过剥离得到二维硒化镓后，转移至预处理的硅衬底上，得到硅衬底上的硒化镓薄膜；
S2、将S2得到硅衬底上的硒化镓薄膜，在550℃保温5±0.5h后，冷却至室温，即得基于硅衬底上二维β-Ga2O3薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法，其特征在于，所述剥离采用机械剥离法，且剥离次数为3～8次。
3.根据权利要求1所述的基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法，其特征在于，所述预处理的硅衬底的制备具体包括以下步骤：
选取氧化层厚度为200纳米的P型硅片，并依次用无水乙醇、丙酮、去离子水进行清洗，并在无尘环境中风干，随后使用氩离子处理硅片外延层，即得预处理的硅衬底。
4.根据权利要求1所述的基于硅衬底上二维β-Ga2O3的制备方法，其特征在于，所述转移后将含有硒化镓的硅衬底放置在热台上恒温加热100±3℃，并垂直按压1-5min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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