[发明专利]由原料的熔体制造晶体的装置的方法及由此获得的晶片

权利要求书

1.一种用于由原料的熔体（16）制造晶体（14）的装置（1，1‘‘，1‘‘‘），包括：

用于接收所述熔体（16）的坩埚（2‘，2‘‘，2‘‘‘），所述坩埚（2‘，2‘‘，2‘‘‘）具有包含第一横截面面积的第一部分（4‘，4‘‘）并且具有用于接收籽晶（12）且包含第二横截面面积的第二部分（6‘），其中，所述第二横截面面积小于所述第一横截面面积，并且所述第一部分和所述第二部分直接地彼此连接或经由从所述第一部分至所述第二部分渐缩的第三部分（8，8‘）而彼此连接，以便容许在定向温度场（T）内进行从所述籽晶（12）开始至熔体固化的结晶，其中所述坩埚（2‘，2‘‘，2‘‘‘）的第一部分（4‘，4‘‘）具有中心轴线（M），并且所述第二部分（6‘）被布置成从所述第一部分（4‘，4‘‘）的中心轴线（M）侧向地偏移（v）,

其中所述第二部分（6，6‘）沿着它的中心轴线（M‘）的方向具有长度（k‘），其中所述长度达50 mm至90 mm，所述50 mm至90 mm的范围包含边界值，并且其中所述第二部分（6‘）被至少部分地形成为圆筒形形状并且具有的内径为15mm或更小。

2.根据权利要求1所述的装置，

其特征在于，所述第二部分包含纵向轴线，当所述纵向轴线延伸至所述第一部分的区域中时，所述纵向轴线在所述第一部分内延伸并且距所述坩埚的内壁15 mm或更小的距离。

3.根据权利要求1至2中的任一项所述的装置，

其特征在于，所述第一部分被至少部分地形成为圆筒形形状，并且具有的内径（d‘‘，d‘‘‘）大于52 mm至60 mm、或大于82 mm至90 mm、或大于102 mm至110 mm、或大于127 mm至145 mm、或大于152 mm至172 mm、或大于202 mm至220 mm。

4.根据权利要求1至2中的任一项所述的装置，

其特征在于，所述装置（1）被构造成用于制造具有公称直径的晶体，所述公称直径将在生长所述晶体的步骤之后的后处理步骤中获得，

其中，所述第一部分具有内径，所述内径与所述第一部分的垂直于所述中心轴线的横截面面积相关联，并且所述内径比所述公称直径大2mm或所述内径比所述公称直径大超出2mm，并且所述内径比所述公称直径大至多10 mm。

5.根据权利要求4所述的装置，

其特征在于，所述公称直径达50 mm或2″、80 mm或3″、100 mm、125 mm、150 mm或200mm。

6.根据权利要求1至2中的任一项所述的装置，

进一步包括加热装置，所述加热装置包含一个或多个加热元件（20，21），所述加热装置被构造成生成具有温度梯度的定向温度场（T），其中所述坩埚布置于所述温度场中。

7.根据权利要求1至2中的任一项所述的装置，

其特征在于，所述坩埚由适合于接收由砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP）形成的熔体的材料形成。

8.根据权利要求1至2中的任一项所述的装置（1‘‘‘‘，1‘‘‘‘‘），

其特征在于，除了所述坩埚（2‘‘）之外，设置另外的相同的坩埚，这些坩埚对称地且平行地并且以相同的高度布置，并且所述第二部分（6‘）从所述中心轴线（M）偏移的方向朝向这些坩埚的布置的对称轴线（Z）定向。