[发明专利]一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器

权利要求书

1.一种基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，其特征在于，包括：信号层、第一金属层和第二金属层，所述信号层上设置有SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路，所述信号层与所述第一金属层耦合连接，所述第一金属层为缺陷结构金属层，所述第二金属层为接地金属层，所述第一金属层与所述第二金属层组成封装缺陷地结构PDGS；

所述第一金属层中间位置缺陷处理后形成一个凸字形金属片，所述凸字形金属片的窄端边与所述第一金属层的主体固定连接，其余边与所述第一金属层的主体之间存在间隙；所述凸字形金属片7宽端侧的长度为l1为7.68-8.58mm，宽度为d1为6.05-6.08mm，所述宽端侧的两个宽边与所述第一金属层2的主体之间的间隙为s2为0.2-0.22mm，所述凸字形金属片7窄端侧的长度l2为3.36-3.40mm，宽度d2为0.14-0.34mm；

所述信号层上设置两个谐振器，两个谐振器距离可调，所述第一金属层和第二金属层组成的PDGS形成第三个谐振器，信号层上的两个谐振器与第三个谐振器存在交叉耦合，在滤波器通带低频处产生一个传输零点；通过改变信号层上有两个谐振器之间的距离改变通带低频处的传输零点所对应的频率。

2.根据权利要求1所述的基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，其特征在于，所述第一金属层环绕所述凸字形金属片设置有第一过孔，所述第二金属层对应所述第一过孔设置有第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔之间设置有第一金属连接柱。

3.根据权利要求2所述的基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，其特征在于，所述信号层对应所述第一过孔设置有第三过孔，所述第三过孔上设置有金属垫片，所述第一过孔和所述第三过孔之间设置有第二金属连接柱，所述第二金属连接柱分别与所述第一金属层和所述金属垫片相连接。

4.根据权利要求3所述的基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，其特征在于，所述信号层与所述第一金属层之间设置有第一介质层和第二介质层，所述第一介质层分别与所述信号层和所述第二介质层的一面相连接，所述第二介质层的另一面与所述第一金属层相连接，所述第一金属层和所述第二金属层之间设置有第三介质层。

5.根据权利要求1所述的基于封装缺陷地结构的紧凑型宽阻带带通滤波器，其特征在于，所述SIR谐振器、非对称阶跃短截线和50Ω馈电线路均设置有两组，分别对称分布在所述信号层的中心线两侧，所述SIR谐振器、非对称阶跃短截线和馈电线路从所述信号层的中心线到信号层的边缘依次分布。