[发明专利]一种基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器在审
| 申请号： | 202010496692.9 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111599890A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;常晶晶;张鹏亮;林珍华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0336 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人： | 梁静 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 二硫化钼 二维 异质结 高速 光电 探测器 | ||
1.一种基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，
包括自下而上设有的衬底(1)、绝缘氧化层(2)、氧化镓层(3)、二硫化钼层(4)；
所述二硫化钼层(4)上设有彼此分隔的两块电极(5)；
所述氧化镓层(3)与所述二硫化钼层(4)之间形成二维异质结；
所述氧化镓层(3)为二维结构的β-氧化镓。
2.根据权利要求1所述的基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，所述氧化镓层(3)是由转移在所述绝缘氧化层(2)上的硒化镓通过氧化反应得到。
3.根据权利要求1所述的基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，所述二硫化钼层(4)垂直吸附于所述氧化镓层(3)上，形成垂直结构的二维异质结。
4.根据权利要求3所述的基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，所述二硫化钼层(4)是先通过机械剥离或者化学气相沉积的方式得到二维二硫化钼，再通过自对准转移的方法将二维二硫化钼转移到所述氧化镓层(3)上而得。
5.根据权利要求1所述的基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，所述电极(5)通过掩模版在二硫化钼层上淀积出厚度为200nm的碳化镉电极。
6.根据权利要求1所述的基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，所述绝缘氧化层(2)为二氧化硅，厚度为200nm。
7.根据权利要求1所述的基于氧化镓/二硫化钼二维异质结的高速光电探测器，其特征在于，所述衬底(1)为P型硅衬底或单晶硅衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
