[发明专利]一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构有效
| 申请号： | 202010496801.7 | 申请日： | 2020-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN111627864B | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;刘文辉;伍志雄;王维乐;白朝辉 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司;西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/06 | 分类号： | H01L23/06;H01L23/10;H01L23/52;H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高结温 sic 陶瓷封装 外壳 结构 | ||
1.一种高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，其特征在于，包括管壳(5)，管壳(5)的内腔为三腔室结构，三腔室结构的腔体之间采用高度为4mm的隔离档用于在腔体之间形成高压电隔离，隔离档为峪口形状，每个腔室内对应设置有管芯(10)，腔室的底部设置有底板(7)，管壳(5)的两端分别设置有引线(4)，管壳(5)两端与引线(4)的连接处为轴向波浪形结构，一端的引线(4)依次连接三个腔室内的管芯(10)后与另一端的引线(4)连接，三只管芯(10)与底板(7)烧结后经压焊工艺将三只管芯(10)串联形成硅堆，管壳(5)的上方设置有盖板(11)，盖板(11)与内腔之间填充有硅凝胶(12)，形成高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构。
2.根据权利要求1所述的高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，其特征在于，管芯(10)与底板(7)之间设置有焊料片(8)，三个管芯(10)之间通过高纯铝丝(9)串联连接。
3.根据权利要求1所述的高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，其特征在于，管壳(5)的基材为96％Al2O3陶瓷。
4.根据权利要求1所述的高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，其特征在于，管壳(5)与盖板(11)之间采用封焊环(6)，通过平行封焊工艺连接形成密封结构。
5.根据权利要求1所述的高结温SiC陶瓷封装硅堆外壳结构，其特征在于，底板(7)采用CMC材料制成。
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