[发明专利]一种TVS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种TVS器件，其特征在于，包括绝缘体上覆半导体衬底，所述绝缘体上覆半导体衬底包括第一导电类型的衬底、上覆于所述衬底的绝缘层及上覆于所述绝缘层的第一导电类型的外延层，所述外延层表面由隔离结构分隔为一TVS二极管区及多个低电容二极管区；

所述TVS二极管区的外延层表面设置有第二导电类型的阱区，所述阱区表面设置有第一导电类型的TVS注入区，形成TVS二极管；

所述低电容二极管区的N型外延层表面设置有普通N+区和普通P+区，形成低电容二极管。

2.根据权利要求1所述的TVS器件，其特征在于，所述隔离结构包括隔离槽，所述隔离槽贯穿所述N型外延层并延伸至所述绝缘层的表面，所述隔离槽内填充有二氧化硅或多晶硅。

3.根据权利要求1所述的TVS器件，其特征在于，所述TVS器件的表面还包括金属电极，所述金属电极形成于所述TVS注入区、普通N+区和普通P+区上；所述隔离结构贯穿所述金属电极。

4.根据权利要求1所述的TVS器件，其特征在于，每两个不同的所述低电容二极管串联形成一低电容二极管组，所述低电容二极管组中的两个所述低电容二极管的连接处为IO接口。

5.根据权利要求4所述的TVS器件，其特征在于，所述TVS二极管的阳极与多组所述低电容二极管组的阳极连接并接地，所述TVS二极管的阴极与多组所述低电容二极管组的阴极连接。

6.根据权利要求4所述的TVS器件，其特征在于，所述TVS二极管的阳极与多组所述低电容二极管组的阳极连接，所述TVS二极管的阴极与多组所述低电容二极管组的阴极连接，某一所述IO接口接地。

7.一种TVS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、选取一绝缘体上覆半导体衬底，所述绝缘体上覆半导体衬底包括第一导电类型的衬底、上覆于所述衬底的绝缘层及上覆于所述绝缘层的第一导电类型的外延层；

步骤二、在所述外延层的表面进行光刻，形成隔离槽，所述隔离槽贯穿所述外延层并延伸至所述绝缘层的表面，所述隔离槽将所述外延层分隔为TVS二极管区及多个低电容二极管区；

步骤三、在所述隔离槽内形成二氧化硅或多晶硅；

步骤四、在所述TVS二极管区的外延层表面注入第二导电类型的离子，形成第二导电类型的阱区；

步骤五、在所述低电容二极管区的外延层表面分别注入P型离子和N型离子形成普通P+区及普通N+区；在所述阱区的表面注入第一导电类型的离子形成TVS注入区；

步骤六、在所述外延层表面形成一层氧化层，之后进行光刻，并填充金属，在所述TVS注入区、普通N+区和普通P+区上形成金属电极。