[发明专利]III族氮化物半导体晶体的制造装置

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体晶体的制造装置，其具备：

原料反应室；

原料反应部，其设置于所述原料反应室内，生成含III族元素气体；

基板保持构件，其在所述原料反应室内保持基板；

原料喷嘴，其在所述原料反应室内朝向所述基板喷射所述含III族元素气体；

氮源喷嘴，其在所述原料反应室内朝向所述基板喷射含氮元素气体，从与铅垂方向垂直的方向的侧面观察时，喷射方向在与所述基板相比的近前方与所述原料喷嘴的喷射方向交叉，以相交叉的位置为中心在所述中心的周边构成所述含III族元素气体与所述含氮元素气体进行混合的混合部；

加热单元，其在所述原料反应室内，用于加热所述原料反应室、所述原料喷嘴、所述氮源喷嘴和所述基板保持构件；以及

旋转机构，其在所述原料反应室内，用于旋转所述基板保持构件。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体晶体的制造装置，其中，所述原料喷嘴的喷射口的所述喷射方向沿垂直正下方配置，所述氮源喷嘴的喷射口的所述喷射方向相对于铅垂方向倾斜且相对于水平方向偏转而配置。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体晶体的制造装置，其中，所述混合部与基板相比配置于上部。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的III族氮化物半导体晶体的制造装置，其中，所述氮源喷嘴的偏转方向与所述基板的旋转方向为顺向。