[发明专利]显示基板及其制备方法

权利要求书

1.一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括阵列分布的多个像素区以及位于任意两相邻所述像素区之间的像素限定区，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上且在所述像素限定区中形成像素限定结构；

在至少部分所述像素限定结构的远离所述衬底的表面的至少部分上形成亲疏液可控层，所述亲疏液可控层的疏液性随温度的变化而变化；

将第一材料液滴至少滴至所述像素限定结构的远离所述衬底的表面上，并通过调整所述亲疏液可控层的温度，以使至少部分所述第一材料液滴进入所述像素区，以形成第一材料层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述像素限定结构的远离所述衬底的表面的至少部分上形成亲疏液可控层包括：

在所述像素限定结构的凹槽内形成亲疏液可控层，其中，所述凹槽位于所述像素限定结构的远离所述衬底的表面上。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述凹槽包括两个第一区和位于所述第一区之间的一个第二区，所述亲疏液可控层位于所述第一区中；

所述将第一材料液滴至少滴至所述像素限定结构的远离所述衬底的表面之前还包括：

在所述凹槽的第二区中形成所述疏液层。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一材料层为空穴注入层，所述空穴注入层的厚度为10纳米至20纳米。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素区包括多种颜色的像素区，第一列所述像素区的颜色相同，所述在衬底上且在所述像素限定区中形成像素限定结构包括：

在相邻的不同颜色像素区之间的像素限定区中形成第一像素限定结构，在相邻的相同颜色像素区之间的像素限定区中形成第二像素限定结构，在垂直于所述衬底的方向上，所述第一像素限定结构的尺寸小于所述第二像素限定结构尺寸；

所述在至少部分所述像素限定结构的远离所述衬底的表面的至少部分上形成亲疏液可控层包括：

在所述第二像素限定结构远离所述衬底的表面上形成亲疏液可控层；

所述将第一材料液滴至少滴至所述像素限定结构的远离所述衬底的表面上，并通过调整所述亲疏液可控层的温度，以使至少部分所述第一材料液滴进入所述像素区，以形成第一材料层包括：

所述第一材料层至少覆盖一行所述像素区。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将第一材料液滴至少滴至所述像素限定结构的远离所述衬底的表面上，并通过调整所述亲疏液可控层的温度，以使至少部分所述第一材料液滴进入所述像素区，以形成第一材料层包括：

将所述亲疏液可控层的温度调整至低于30℃至34℃，所述亲疏液可控层的性质变为亲液性。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一材料层为空穴注入层或者空穴传输层。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上且在所述像素限定区中形成像素限定结构还包括：

形成围绕所述像素区和所述像素限定区的第三像素限定结构，在垂直于所述衬底的方向上，所述第二像素限定结构的尺寸小于所述第三像素限定结构尺寸。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述亲疏液可控层的形成材料包括聚N-异丙基丙烯酰胺材料。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述以形成第一材料层之后还包括：

将所述亲疏液可控层的温度调整至高于30℃至34℃，所述亲疏液可控层的性质变为疏液性，在所述像素区形成第二材料层，所述第二材料层为量子点层。