[发明专利]半导体元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供基底，其中所述基底具有主动区；

形成多条字符线于所述基底上，其中每一所述多条字符线沿第一方向延伸，且所述多条字符线沿第二方向排列于所述主动区的两侧；

形成第一介电层于所述基底上，所述第一介电层覆盖所述主动区与所述多条字符线；

形成接触窗于所述主动区上，所述接触窗贯穿所述第一介电层电连接至所述主动区；以及

对所述第一介电层进行加热制作工艺，以使所述第一介电层向内收缩，所述接触窗对应地向外膨胀。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中进行所述加热制作工艺之后所述接触窗被所述第一介电层围绕的部分对应地向外膨胀。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中进行所述加热制作工艺之后所述接触窗的尺寸增加。

4.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中进行所述加热制作工艺之后在所述第一方向上所述接触窗不覆盖所述主动区的侧壁。

5.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一介电层的收缩比介于5％至25％之间。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一介电层的材料包括旋涂式玻璃、高纵深比填沟制作工艺氧化硅、可流动化学气相沉积氧化硅或其组合。

7.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括：

形成多个隔离结构于所述基底中，其中所述多个隔离结构沿所述第一方向排列于所述主动区的两侧，且进行所述加热制作工艺之后所述接触窗于所述基底上的正投影与所述多个隔离结构重叠。

8.如权利要求1所述的半导体元件的制造方法，还包括：

形成第二介电层于所述基底上，其中所述第二介电层覆盖所述多条字符线。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中在第三方向上，所述第二介电层夹于所述基底与所述第一介电层之间。

10.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中进行所述加热制作工艺之后部分所述接触窗位于所述第二介电层的顶面。

11.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中进行所述加热制作工艺之后所述接触窗为漏斗状。

12.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述接触窗具有不连续侧壁。

13.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述接触窗包括第一部分与第二部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述主动区之间，且进行所述加热制作工艺之后所述第一部分对应地向外膨胀，所述第二部分不膨胀。

14.如权利要求13所述的半导体元件的制造方法，其中所述第一部分为接触窗被所述第一介电层围绕的部分，而所述第二部分为所述接触窗被所述第二介电层围绕的部分。

15.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中形成所述接触窗包括：

移除部分所述第一介电层与所述第二介电层，以形成暴露出部分所述主动区的开口；

填入导电材料于所述开口中；以及

对所述导电材料进行平坦化制作工艺。

16.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，其中所述第二介电层的材料与所述第一介电层的材料不同。

17.如权利要求16所述的半导体元件的制造方法，其中所述第二介电层的收缩比介于0％至2％之间。