[发明专利]使用重整气体形成电子结构的方法、系统和形成的结构

权利要求书

1.一种形成电子器件结构的方法，所述方法包括：

在反应腔室内提供其上具有特征的基板，所述基板包含覆盖所述特征的包含氮化硅的层；

通过用微波辐射照射重整气体来形成经活化物种；以及

将所述包含氮化硅的层暴露于所述经活化物种，

其中在形成经活化物种的所述步骤期间所述反应腔室内的压力低于50Pa。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含氢气及氦气和氩气中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含氢气和氦气。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含氮源气体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述氮源气体选自N₂和NH₃中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体基本上由氢气、氮源气体、及氦气和氩气中的一种或多种组成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含约5体积％至约95体积％的He。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含约20体积％至约70体积％的He。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含约40体积％至约60体积％的He。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含约40体积％至约60体积％的H。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含大于0体积％且小于10体积％的氮源气体。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述重整气体包含大于0体积％且小于5体积％的氮源气体。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述微波辐射具有约800MHz至约10GHz的频率。

14.根据权利要求1所述的方法，其中发射所述微波辐射的微波功率在约500W至约10,000W之间。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板被放置在所述反应腔室内的衬托器上，并且所述微波辐射的微波从设置在所述反应腔室的反应空间中的所述衬托器上方的天线发射。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述天线为杆式天线，并且在所述形成经活化物种的步骤期间不向所述衬托器供给RF功率。

17.根据权利要求1所述的方法，其中在所述形成经活化物种的步骤期间所述反应腔室内的压力在约1Pa至约30Pa之间。

18.根据权利要求1所述的方法，其中在所述形成经活化物种的步骤期间所述反应腔室内衬托器的温度在约20℃至约400℃之间。

19.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在PE-ALD装置中通过等离子体增强原子层沉积(PE-ALD)在所述基板上沉积氮化硅膜和然后在不将所述基板暴露于空气的情况下将所述基板转移到微波等离子体装置中的反应空间的步骤。

20.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征包括沟槽，每个沟槽具有约10nm至约100nm的宽度、约30nm至约1000nm的深度和/或3至100或约3至约20的纵横比。