[发明专利]存储器器件及其复位方法

说明书

本发明的实施例提供了一种存储器器件及其复位方法。存储器器件包括具有多个单元的单元阵列，多个单元中的每个可操作的存储位值。存储器器件还包括连接至单元阵列的复位电路。复位电路是可操作的以将存储在多个单元中的每个中的位值并行地复位为预定位值。

技术领域

本发明的实施例涉及存储器器件及其复位方法。

背景技术

通用类型的集成电路存储器是静态随机存取存储器(SRAM)器件。典型的SRAM存储器器件具有存储器单元阵列。存储器单元使用连接在较高参考电位和较低参考电位(通常为地)之间的六个晶体管，使得两个存储节点中的一个可以被要存储的信息占据，互补信息存储在另一存储节点处。

通常对存储器阵列实施电源门控和电压保持技术以减少功耗。例如，电源门可以用于在深度睡眠模式下断开存储器外围项目，并且在关闭模式下断开外围项目和存储器阵列。通常，片上SRAM当其退出掉电模式或关闭模式时会保留存储在SRAM中的一些位值。由于内容可能被恶意程序读取，因此可能存在安全风险。此外，一些应用需要在所有位值都设置为零的情况下启动SRAM。例如，应用可能需要以清除SRAM并且设置各个位开始。

发明内容

本发明的实施例提供了一种存储器器件，包括：单元阵列，单元阵列包括多个单元，多个单元中的每个可操作的存储位值；以及复位电路，连接至单元阵列，其中，复位电路是可操作的以将存储在多个单元中的单元中的位值并行地复位为预定位值。

本发明的实施例还提供了一种存储器器件，包括：单元阵列，单元阵列包括多个单元，多个单元中的每个可操作的存储一个位值；电源控制电路，可操作的生成第一信号和第二信号，第一信号指示多个单元的上电持续时间的开始，第二信号指示多个单元的上电持续时间的完成；以及复位电路，可操作的将存储在多个单元中的每个中的位值在上电持续时间期间并行地复位为预定位值。

本发明的实施例还提供了一种复位存储器器件的方法，方法包括：生成作为第一信号和第二信号的逻辑或的复位信号，第一信号指示存储器器件的多个单元的上电持续时间的开始，第二信号指示存储器器件的多个单元的上电持续时间的完成；以及通过复位信号来触发将存储在存储器器件的单元阵列的多个单元中的每个中的位值在上电持续时间期间并行地复位为预定位值。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳地理解本公开的各个方面。应该注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。

图1是示出根据一些实施例的示例存储器器件的框图。

图2是示出根据一些实施例的示例单元阵列的图。

图3A是示出根据一些实施例的具有复位电路的存储器器件的图。

图3B是示出根据一些实施例的具有另一复位电路的存储器器件的图。

图3C是示出根据一些实施例的具有多个子块的存储器器件的图。

图4示出了根据一些实施例的复位电路的时序图。

图5是示出根据一些实施例的用于复位存储器器件的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本公开。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本公开可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身并不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。