[发明专利]存储器系统、电荷泵系统及其操作方法

权利要求书

1.一种具有电荷泵系统的系统，包括：

电荷泵系统，具有多个使能信号输入端子和输出端子，所述电荷泵系统配置为在所述输出端子处提供输出电压；以及

检测电路，连接到所述电荷泵系统的所述使能信号输入端子和所述输出端子，所述检测电路配置为将所述电荷泵系统的输出电压与多个预定输入检测电压电平进行比较，并且响应于所述比较向所述电荷泵系统的使能信号输入端子输出多个使能信号。

2.根据权利要求1所述的具有电荷泵系统的系统，其中，所述电荷泵系统包括多个电荷泵；其中，所述多个使能信号中的每个控制所述多个电荷泵中的相应一个电荷泵的操作；并且，响应于所述多个使能信号选择性地控制所述多个电荷泵。

3.根据权利要求1所述的具有电荷泵系统的系统，其中，所述检测电路包括电压比较器电路，所述电压比较器电路包括多个输入电平检测电路分支，每个输入电平检测电路分支配置为将所述电荷泵系统的输出电压与所述多个预定输入检测电压电平中的对应一个进行比较，并且其中，每个输入电平检测电路分支连接到所述使能端子中的相应一个。

4.根据权利要求3所述的具有电荷泵系统的系统，其中，所述检测电路包括偏置电流发生器电路，所述偏置电流发生器电路配置为向所述多个输入电平检测电路分支中的每个提供偏置电流。

5.根据权利要求3所述的具有电荷泵系统的系统，其中，每个输入电平检测电路分支包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，并且其中：

所述第一PMOS晶体管的源极端子连接到轨输入电压；

所述第一PMOS晶体管的栅极端子连接到第二NMOS晶体管的漏极，所述第二NMOS晶体管的栅极连接到所述电荷泵系统的输出端子；

所述第一PMOS晶体管的漏极端子连接到所述多个使能信号中的一个并且连接到所述第一NMOS晶体管的漏极端子；

所述第一NMOS晶体管的源极端子连接到作为电流镜配置的部分的第三NMOS晶体管的漏极端子；以及

所述第一NMOS晶体管的栅极端子连接到多个预定输入检测电压电平中的一个。

6.根据权利要求5所述的具有电荷泵系统的系统，其中，所述多个输入电平检测电路分支中的每个的PMOS晶体管具有相同的尺寸，并且其中，所述多个输入电平检测电路分支中的每个的NMOS晶体管具有相同的尺寸。

7.根据权利要求1所述的具有电荷泵系统的系统，其中，所述电荷泵系统包括可变频率发生器和电荷泵。

8.根据权利要求7所述的具有电荷泵系统的系统，其中，所述可变频率发生器包括可调谐环形振荡器电路。

9.一种存储器系统，包括：

存储器单元的阵列；

多条位线，连接到所述存储器单元的阵列；

多个电荷泵，每个电荷泵具有使能信号输入端子和耦合到所述多条位线的输出端子；以及

检测电路，连接到所述电荷泵的所述使能信号输入端子和所述输出端子，所述检测电路配置为将所述电荷泵的输出电压与多个预定参考电压电平进行比较，并且响应于所述比较将多个相应的使能信号选择性地输出到所述电荷泵的使能信号输入端子。

10.一种用于操作电荷泵的方法，包括：

将电荷泵的输出电压与多个预定输入检测电压电平进行比较；

基于所述比较，从与所述多个预定输入检测电压电平相对应的多个预定频率中选择时钟信号频率；

将所选择的时钟信号频率输出到所述电荷泵；以及

基于所选择的时钟信号频率修改所述电荷泵的所述输出电压。