[发明专利]一种650V高压VDMOS器件在审
| 申请号： | 202010499106.6 | 申请日： | 2020-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN111564500A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 冯羽;张峰 | 申请（专利权）人： | 杭州华芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京博维知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11486 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江干区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 650 高压 vdmos 器件 | ||
1.一种650V高压VDMOS器件，包括金属场版，金属场版位于高压VDMOS器件的顶层，其特征在于，所述金属场版的尺寸为2460um*2460um，金属场版表面经过腐蚀形成一圈H非金属区和一圈F非金属区；
所述H非金属区、F非金属区均为等宽非金属区；
所述H非金属区、F非金属区均在金属版场的四角上平滑过渡，对应形成过渡部H1、过渡部F1；
所述H非金属区除过过渡部H1的部分与所述金属场版的对应边缘平行设置，呈平直状；
所述F非金属区与所述金属场版边缘平行的其中一边向金属场版中心凸入，形成方形突出部；
所述F非金属区除过过渡部F1和突出部顶角的其他部分呈平直状。
2.根据权利要求1所述的一种650V高压VDMOS器件，其特征在于，所述H非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成的过渡部H1为1/4圆弧状；
所述F非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，形成的过渡部F1为1/4圆弧状。
3.根据权利要求1或2所述的一种650V高压VDMOS器件，其特征在于，所述H非金属区宽度为81um，F非金属区宽度为6um；
所述H非金属区除过过渡部H1的部分距离所述金属场版边缘的距离为17um，H非金属区与F非金属区的最小间距为26um。
4.根据权利要求1所述的一种650V高压VDMOS器件，其特征在于，所述H非金属区除过过渡部H1的部分距离所述金属场版边缘的距离为14.5um，H非金属区与F非金属区的最小间距为21um；
所述H非金属区从外到内依次包括B非金属区、C金属区和D非金属区；
所述B非金属区和D非金属区均为等宽非金属区；
所述B非金属区宽度为33um，C金属区宽度为15um，D非金属区宽度为38um，F非金属区宽度为11um。
5.根据权利要求4所述的一种650V高压VDMOS器件，其特征在于，所述为B非金属区、C金属区和D非金属区在距离金属版场边缘258um处开始平滑过渡，对应形成的过渡部B1、过渡部C1、过渡部D1均为1/4圆弧状。
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