[发明专利]存储器近接干扰管理有效

专利信息
申请号: 202010499319.9 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN112086121B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: J·L·麦克维伊;S·E·布拉德绍;J·埃诺 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C16/34 分类号: G11C16/34;G11C7/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 干扰 管理
【说明书】:

本申请案涉及存储器近接干扰管理。示范性方法、设备和系统包含管理存储器近接干扰的控制器。所述控制器响应于存取第二存储器位置而识别第一存储器位置,所述第一存储器位置存储第一值。所述控制器将第一干扰值更新第一量,所述第一干扰值表示通过存取靠近所述第一存储器位置的第一多个存储器位置对所述第一存储器位置中的所述第一值的累积干扰效应,所述第一多个存储器位置包含所述第二存储器位置。

技术领域

本公开大体上涉及存储器,且更具体来说,涉及管理存储器中的近接干扰。

背景技术

存储器子系统可以是存储系统,如固态驱动器(SSD)或硬盘驱动器(HDD)。存储器子系统可以是存储器模块,如双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)或非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)。存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器组件。存储器组件可以是例如非易失性存储器组件和易失性存储器组件。一般来说,主机系统可利用存储器子系统在存储器组件中存储数据且从存储器组件检索数据。

发明内容

在一个方面中,本申请案提供一种方法,其包括:响应于存取第二存储器位置而识别第一存储器位置,所述第一存储器位置存储第一值;和将第一干扰值更新第一量,所述第一干扰值表示通过存取靠近所述第一存储器位置的第一多个存储器位置对所述第一存储器位置中的所述第一值的累积干扰效应,所述第一多个存储器位置包含所述第二存储器位置。

在另一方面中,本申请案另外提供一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体,所述指令在由处理装置执行时使所述处理装置进行以下操作:响应于存取第二存储器位置而识别第一存储器位置,所述第一存储器位置存储第一值;和将第一干扰值更新第一量,所述第一干扰值表示通过存取靠近所述第一存储器位置的第一多个存储器位置对所述第一存储器位置中的所述第一值的累积干扰效应,所述第一多个存储器位置包含所述第二存储器位置。

在另一方面中,本申请案另外提供一种系统,其包括:非易失性存储器组件,其包含第一存储器位置和第二存储器位置;和处理装置,其以可操作方式与所述非易失性存储器组件耦合以进行以下操作:响应于存取所述第二存储器位置而识别所述第一存储器位置,所述第一存储器位置存储第一值;和将第一干扰值更新第一量,所述第一干扰值表示通过存取靠近所述第一存储器位置的第一多个存储器位置对所述第一存储器位置中的所述第一值的累积干扰效应,所述第一多个存储器位置包含所述第二存储器位置,且其中所述第一量是基于所述第一存储器位置相对于所述第二存储器位置的取向。

附图说明

根据下文给出的详细描述和本公开的各种实施例的附图,将更充分地理解本公开。然而,附图不应视为将本公开限制于具体实施例,而是仅用于解释和理解。

图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算环境。

图2说明根据本公开的一些实施例的基于示范性操作序列的示范性近接干扰管理技术。

图3是根据本公开的一些实施例的管理近接干扰的实例方法的流程图。

图4是其中可操作本公开的实施例的实例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开的方面涉及管理存储器子系统中的近接干扰。存储器子系统在下文也称为“存储器装置”。存储器子系统的实例是经由存储器总线连接到中央处理单元(CPU)的存储器模块。存储器模块的实例包含双列直插式存储器模块(DIMM)、小型DIMM(SO-DIMM)、非易失性双列直插式存储器模块(NVDIMM)等。存储器子系统的另一实例是经由外围互连(例如输入/输出总线、存储区域网络等)连接到中央处理单元(CPU)的存储装置。存储装置的实例包含固态驱动器(SSD)、快闪驱动器、通用串行总线(USB)快闪驱动器和硬盘驱动器(HDD)。在一些实施例中,存储器子系统是混合式存储器/存储装置子系统。一般来说,主机系统可利用包含一或多个存储器组件的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据且可请求将从存储器子系统检索的数据。

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