[发明专利]存储器阵列及用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

形成包括导体层次的衬底，所述导体层次包括上部导体材料、下部金属材料及垂直地位于所述上部导体材料与所述下部金属材料之间的介入金属材料；所述介入金属材料、所述上部导体材料及所述下部金属材料为相对彼此不同的组成；所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的还原电位偏离不到0.7V；

在所述导体层次上面形成包括垂直交替的绝缘层次与导电层次的堆叠；

穿过所述堆叠形成水平伸长的沟槽直到所述导体层次；及

在所述堆叠中形成存储器单元的竖向延伸的串；所述存储器单元中的个别者包括延伸穿过所述绝缘层次及所述导电层次的沟道材料、为所述导电层次中的个别者中的导电线的一部分的栅极区域及横向地位于所述个别导电层次中的所述栅极区域与所述沟道材料之间的存储器结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的所述还原电位偏离不到0.5V。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的所述还原电位偏离不到0.3V。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述介入金属材料的还原电位与所述上部导体材料的所述还原电位偏离不到0.1V。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述介入金属材料的还原电位高于所述上部导体材料的所述还原电位。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述上部导体材料包括经导电掺杂半导电材料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述上部导体材料包括经导电掺杂多晶硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述下部金属材料包括TiN、WN、Co、Mo、CoSi_x、MoSi_x、Ta及Ru中的至少一者。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述介入金属材料包括TiN、TiSi_x、TiSi_xN_y、WSi_xN_y、WN、WB、WB_xN_y、Ta、TaN、TaSi_x、CoSi_x、CoN、MoN、MoSi_x及AlN中的至少一者。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述介入金属材料包括TiN、TiSi_x、TiSi_xN_y、WSi_xN_y、WN、WB、WB_xN_y、Ta、TaN、TaSi_x、CoSi_x、CoN、MoN、MoSi_x及AlN中的至少两者。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述下部金属材料包括TiN、WN、Co、Mo、CoSi_x、MoSi_x、Ta及Ru中的至少一者；且

所述介入金属材料包括TiN、TiSi_x、TiSi_xN_y、WSi_xN_y、WN、WB、WB_xN_y、Ta、TaN、TaSi_x、CoSi_x、CoN、MoN、MoSi_x及AlN中的至少一者。

12.根据权利要求1所述的方法，其中通过在所述上部导体材料上停止的蚀刻而形成所述沟槽。