[发明专利]一种促进红豆杉种子萌发的方法有效

专利信息
申请号: 202010500410.8 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111527829B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 杨娟;秦少发;亚吉东;杨岚;张潇尹;刘成;杨湘云 申请(专利权)人: 中国科学院昆明植物研究所
主分类号: A01C1/00 分类号: A01C1/00;A01C1/08
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 董大媛
地址: 650201 *** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 促进 红豆杉 种子 萌发 方法
【权利要求书】:

1.一种促进红豆杉种子萌发的方法,其特征在于,步骤为:

1)去除红豆杉种子的假种皮,得到纯净种子;

2)将得到的纯净种子播种于琼脂培养基上,于光照和黑暗条件下交替培养,直至种子萌发;光照培养的条件为:连续光照8~16h,光照的强度为1000~5000lux,光照培养的温度为13~17℃;黑暗培养的条件为:连续黑暗16~8h,黑暗培养的温度为3~7℃;

所述琼脂培养基包括以下组分:1g琼脂和100mL水;

所述红豆杉的品种为喜马拉雅红豆杉。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤2)所述琼脂培养基还包括赤霉素;所述赤霉素的浓度为180~220mg/L。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将步骤2)可替换为步骤2)’;

步骤2)’将得到的纯净种子播种于琼脂培养基上,依次进行第一培养、第二培养和第三培养;

所述第一培养于光照和黑暗条件下交替培养85~105d;所述第一培养的光照条件为:连续光照8~16h,光照的强度为1000~5000lux,光照培养的温度为23~27℃;黑暗培养的条件为:连续黑暗16~8h,黑暗培养的温度为13~17℃;

所述第二培养于光照和黑暗条件下交替培养85~105d;所述第二培养的光照条件为:连续光照8~16h,光照的强度为1000~5000lux,光照培养的温度为3~7℃;黑暗培养的条件为:连续黑暗16~8h,黑暗培养的温度为3~7℃;

所述第三培养于光照和黑暗条件下交替培养直至种子萌发;所述第三培养的光照条件为:连续光照8~16h,光照的强度为1000~5000lux,光照培养的温度为23~27℃;黑暗培养的条件为:连续黑暗16~8h,黑暗培养的温度为13~17℃。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述红豆杉种子为采集成熟饱满的种子。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤1)中所述去除红豆杉种子的假种皮后,将种子阴干12~24h。

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