[发明专利]具有背腔结构的器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 202010501061.1 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111620300B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 王红海;刘国安;吕林静 申请(专利权)人: 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 具有 结构 器件 及其 形成 方法
【说明书】:

发明提供了一种具有背腔结构的器件及其形成方法。在刻蚀衬底以形成背腔时利用保护层覆盖功能层,并在形成背腔后可直接利用刻蚀工艺去除所述保护层,从而在去除保护层时不会对功能层造成较大的撕扯,避免了功能层被破坏的问题。

技术领域

本发明涉及微电子技术领域,特别涉及一种具有背腔结构的器件及其形成方法。

背景技术

在微电子技术领域中,常常涉及具有背腔结构的器件(例如,MEMS器件、微加热板器件等)。针对具有背腔结构的器件而言,在制备其背腔结构时通常是从衬底的背面进行刻蚀以形成的。

参考图1~图3所示,其中图1~图3为一种在制备具有背腔结构的器件的过程中的结构示意图。具体的,制备具有背腔结构的器件的方法一般包括:

首先,参考图1所示,提供一衬底10,并在所述衬底10的正面上形成功能层20;

接着,继续参考图1所示,所述衬底10的正面上贴附静电胶层30,所述静电胶层30即黏贴在所述功能层20上,以用于保护所述功能层20;

接着,参考图2所示,刻蚀所述衬底10的背面,以形成背腔10a;

接着,参考图3所示,撕掉衬底正面上的静电胶层30,以暴露出所述功能层20。

即,目前在制备背腔10a时,是利用静电胶层30贴附在衬底10的正面上以用于保护功能层20,最后再将所述静电胶层30撕掉。然而应当认识到,所述静电胶层30在所述功能层20上具有较大的粘附力,从而在撕掉所述静电胶层30时,极易导致功能层20受到较大的拉扯力,进而使得所述功能层20容易受到损坏并脱落。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有背腔结构的器件的形成方法,以解决现有的形成方法中容易出现功能层受到损伤的问题。

为解决上述技术问题,本发明提供一种具有背腔结构的器件的形成方法,包括:

提供一衬底,并在所述衬底的第一表面上形成功能层;

在所述功能层上形成保护层;

从所述衬底的第二表面刻蚀所述衬底,以在所述衬底中形成背腔;以及,

刻蚀所述保护层,以去除所述保护层。

可选的,在形成所述保护层之前,还包括:形成阻挡层,所述阻挡层形成在所述衬底和所述功能层之间,或者所述阻挡层掩埋在所述功能层中;以及,在去除所述保护层后,所述阻挡层被保留并暴露于所述背腔中。

可选的,所述阻挡层掩埋在所述功能层中,在刻蚀所述衬底以形成背腔后,所述背腔暴露出部分所述功能层;以及,在刻蚀所述保护层时刻蚀剂还刻蚀所述功能层暴露于所述背腔中的部分,并刻蚀停止于所述阻挡层。

可选的,所述阻挡层包括第一阻挡部和第二阻挡部,所述第一阻挡部的底部从所述功能层纵向延伸至所述衬底的第一表面,并且所述第一阻挡部围绕在背腔区域的外围,所述第二阻挡层掩埋在所述功能层中并横向覆盖所述第一阻挡部的顶部。

可选的,所述衬底中靠近第一表面的部分的材料包括硅,所述功能层包括最接近衬底的氧化硅层,所述阻挡层的材料包括氮化硅并掩埋在所述氧化硅层中,以及所述保护层的材料包括氧化硅。

可选的,所述保护层的形成方法包括沉积工艺;以及,刻蚀所述保护层的方法包括湿法刻蚀工艺。

可选的,所述具有背腔结构的器件包括微加热板器件,以及所述功能层包括依次形成在所述衬底上的隔热层和加热板。

本发明的另一目的在于提供一种采用如上所述的形成方法制备的具有背腔结构的器件,包括:

衬底,所述衬底具有第一表面和第二表面,以及所述衬底中还形成有贯穿所述衬底的背腔;以及,

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