[发明专利]一种基因测序芯片的校正方法、装置

说明书

本发明公开了一种基因测序芯片的校正方法、装置，校正方法包括根据各检测孔的输入输出特性曲线的最大斜率点的位置分布确定参考曲线、校正输入电压以及标准孔；计算参考曲线在校正输入电压处的第一斜率；计算有效孔对应的输入输出特性曲线在校正输入电压处的第二斜率；根据有效孔内氢离子浓度指数变化前后输出电压变化量与第二斜率对氢离子浓度指数变化引起的输入电压变化量进行归一化处理；将标准孔在校正输入电压下对应的输出电压与第一输出电压变化量确定为在有效孔内氢离子浓度指数改变后有效孔对应的校正输出电压。本发明技术方案，可以对基因测序芯片制作工艺过程中的偏差导致的输出偏差进行校正，进而保证基因测序结果的准确性。

技术领域

本发明实施例涉及芯片校正技术领域，尤其涉及一种基因测序芯片的校正方法、装置。

背景技术

随着基因检测技术的发展，对基因测序芯片的检测精度要求也越来越高。

由于芯片制作过程中，不可避免地会出现工艺偏差，使得基因测序芯片的检测精度受到影响，造成测序结果存在偏差。

发明内容

本发明提供一种基因测序芯片的校正方法、装置，以实现对工艺偏差导致基因测序芯片测序输出结果进行校正，进而提高基因测序芯片的检测精度，保证测序结果的准确性。

第一方面，本发明实施例提供了一种基因测序芯片的校正方法，所述基因测序芯片的一侧表面包括多个检测孔；所述校正方法包括：

根据各所述检测孔的输入输出特性曲线的最大斜率点的位置分布确定参考曲线、校正输入电压以及标准孔和非标准孔，其中所述参考曲线为所述标准孔对应的输入输出特性曲线；

计算所述参考曲线在所述校正输入电压处的第一斜率；

计算所述非标准孔中有效孔对应的输入输出特性曲线在所述校正输入电压处的第二斜率；

在激励源提供的电压为校正输入电压时，根据有效孔内氢离子浓度指数变化前后输出电压变化量与第二斜率对氢离子浓度指数变化引起的输入电压变化量进行归一化处理；

在激励源提供的电压为校正输入电压时，将所述标准孔在所述校正输入电压下对应的输出电压与第一输出电压变化量确定为在所述有效孔内氢离子浓度指数改变后所述有效孔对应的校正输出电压，其中第一输出电压变化量与第二输出电压变化量正相关，所述第二输出电压变化量为所述有效孔内氢离子浓度指数改变前后的输出电压变化量，所述第一输出电压变化量与所述第一斜率正相关，所述第一输出电压变化量与所述第二斜率负相关。

第二方面，本发明实施例还提供了一种基因测序芯片的校正装置，用于执行第一方面提供的基因测序芯片的校正方法，所述基因测序芯片的一侧表面包括多个检测孔；所述校正装置包括：

确定模块，用于根据各所述检测孔的输入输出特性曲线的最大斜率点的位置分布确定参考曲线、校正输入电压以及标准孔和非标准孔，其中所述参考曲线为所述标准孔对应的输入输出特性曲线；

第一斜率计算模块，用于计算所述参考曲线在所述校正输入电压处的第一斜率；

第二斜率计算模块，用计算所述非标准孔中有效孔对应的输入输出特性曲线在所述校正输入电压处的第二斜率；

归一化处理模块，用于在激励源提供的电压为校正输入电压时，根据有效孔内氢离子浓度指数变化前后输出电压变化量与第二斜率对氢离子浓度指数变化引起的输入电压变化量进行归一化处理；