[发明专利]一种LDMOS触发的可编程单向保护器件

权利要求书

1.一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，包括第一LDNMOS（1）、第一NPNP晶闸管（5）、第二LDNMOS（2）和第二NPNP晶闸管（6），其中第一LDNMOS（1）的源极连接第一NPNP晶闸管（5）的P型栅极，第一LDNMOS（1）的漏极连接第一NPNP晶闸管（5）的阳极；第二LDNMOS（2）的源极连接第二NPNP晶闸管（6）的P型栅极，第二LDNMOS（2）的漏极连接第二NPNP晶闸管（6）的阳极；

其特征在于，第一LDNMOS（1）的栅极和第二LDNMOS（2）的栅极相连作为单向保护器件的第一栅极（G1），并接外部SLIC负电源电压；第一LDNMOS（1）的漏极、第一NPNP晶闸管（5）的阳极、第二LDNMOS（2）的漏极和第二NPNP晶闸管（6）的阳极共同接地；第一NPNP晶闸管（5）的阴极连接信号传输电话线Tip，第二NPNP晶闸管（6）的阴极连接信号传输电话线Ring。

2.根据权利要求1所述的一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，其特征在于，在N型硅单晶（23）上形成第一NPNP晶闸管（5）、第一LDNMOS（1）、第二LDNMOS（2）和第二NPNP晶闸管（6）；所述第二LDNMOS（2）和第二NPNP晶闸管（6）与所述第一LDNMOS（1）和第一NPNP晶闸管（5）对称设置。

3.根据权利要求1所述的一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，其特征在于，所述第一NPNP晶闸管（5）包括由下至上依次层叠设置的第一背面阳极金属（20）、N型硅单晶（23）和正面金属结构；

其中，N型硅单晶（23）的底层由下至上依次层叠设置有重掺杂P型阳极接触区（21）和P型阳极区（22），所述重掺杂P型阳极接触区（21）位于第一背面阳极金属（20）的上表面；

N型硅单晶（23）的顶层中具有P型基区（28）和P型隔离区（24），P型隔离区（24）间隔位于P型基区（28）的两侧，且位于P型阳极区（22）的上表面，形成第一隔离区（11）；

P型基区（28）的顶层间隔设置有多个重掺杂N型阴极区（26），多个重掺杂N型阴极区（26）之间的间隙为P型基区（28）形成的第一短路孔；

正面金属结构包括第一正面阴极金属（25）和第一正面金属（27），所述第一正面阴极金属（25）位于重掺杂N型阴极区（26）和所述第一短路孔上，第一正面金属（27）位于所述P型基区（28）上。

4.根据权利要求3所述的一种LDMOS触发的可编程单向保护器件，其特征在于，所述第一LDNMOS（1）包括由下至上依次层叠设置的第一背面氧化层（35）、N型硅单晶（23）和正面金属结构；第一背面氧化层（35）的一侧与所述第一背面阳极金属（20）的一侧接触；

其中，N型硅单晶（23）的顶层间隔设置有P型体区（33）和N型重掺杂接触区（34）；P型体区（33）靠近P型隔离区（24）的一侧设置，N型重掺杂接触区（34）远离P型隔离区（24）的一侧设置，P型体区（33）的顶层一侧设置有侧面相互接触的重掺杂P型接触区（31）和重掺杂N型源区（32）；

正面金属结构包括第一正面金属（27）、第一栅极多晶硅（29）和第一正面漏极金属（30），第一正面金属（27）位于所述重掺杂P型接触区（31）和重掺杂N型源区（32）上，所述第一正面漏极金属（30）位于所述N型重掺杂接触区（34）上，所述第一正面金属（27）和所述第一正面漏极金属（30）通过第一氧化层（40）隔离，第一氧化层（40）位于所述N型硅单晶（23）的上表面，所述第一栅极多晶硅（29）位于所述第一氧化层（40）中。