[发明专利]符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法

权利要求书

1.符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤1将组装完成的热场系统及坩埚生长系统放入中频炉内，并关闭中频感应炉的炉盖，启动单晶生长工艺；

步骤2抽气-预热-换气：将炉膛抽真空，进行低功率加热，然后再充入氩气并再次抽真空；

步骤3一次升温：将压力控制到2-9万帕，并开启电源进行缓慢加热至温度1；

步骤4一次降压：温度1保持1-10h后，将炉膛压力以指数关系降至压力1；

步骤5二次降压及二次升温：温度1，压力1的状态保持1-50h后，将炉膛压力以指数关系降至压力2，同时将温度等斜率升到温度2；

步骤6温度2，压力2 保持生长≥1h；

步骤7三次升温：将设备的加热方式更改为功率控制，并在后期生长过程中以分段不等斜率的方式补偿功率；

步骤8热场移动：功率控制保持≥1h后将设备的感应线圈匀速向下移动0-50mm；

步骤9恒温升压：线圈移动后到位保持≥1h，先将设备改为下控温模式，保持热场温度恒定，再用用氩气将炉膛压力充至2-8万帕，此过程保持热场的温度恒定；

步骤10一次降温：将设备以等斜率的方式快速将热场温度降低到温度3；

步骤11二次降温：将设备以等斜率的方式将功率降至室温；

步骤12末次抽换气：设备自然冷却到室温时，将设备内的气体抽出，并充入氩气，再开炉取出晶体。

2.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的对炉膛进行抽气-预热-换气，是在室温下将炉膛抽真空，再进行低功率加热，然后再充入氩气并再次抽真空重复2次。

3.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法,其特征在于，所述的一次升温是在将压力控制到2-9万帕，并开启电源进行缓慢加热至温度1。

4.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的一次降压是在一次升温温度1并保持1-10h后，将炉膛压力以指数关系降至压力1。

5.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的二次降压及二次升温，是温度1，压力1的状态保持 1-50h后，将炉膛压力以指数关系降至压力2，同时将温度等斜率升到温度2。

6.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的三次升温是，在工艺完成二次降压生长及二次升温后保持≥1h以上，将设备的加热方式更改为功率控制，并在后期生长过程中以分段不等斜率的方式补偿功率。

7.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的线圈运动，功率控制保持≥1h后将设备的感应线圈匀速向下移动0-50mm。

8.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法其特征在于，所述的恒温升压，线圈移动后到位保持≥1h，先将设备改为下控温模式，保持热场温度恒定，再用氩气用将炉膛压力充至2-8万pa，此过程保持热场的温度恒定。

9.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的一次降温，是在充气完成之后，将设备以等斜率的方式快速将热场温度降低到温度3。

10.如权利要求1符合产业化生产的高厚度低缺陷六英寸碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述的二次降温，是在一次降温后，按照斜率将设备的输出功率降温0kw。