[发明专利]一种太阳能电池正面多层减反射膜及其制备方法及电池在审
| 申请号： | 202010503181.5 | 申请日： | 2020-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN111739949A | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 刘海泉;杨二存;赵小平;刘浩东;高丽丽;时宝 | 申请（专利权）人： | 天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300400 天津市北辰区天津北辰*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 正面 多层 减反射膜 及其 制备 方法 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能电池正面多层减反射膜，其特征在于：它包括由下至上依次设置的碳氮化硅薄膜、第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜，且各薄膜的折射率由下至上依次降低。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池正面多层减反射膜，其特征在于：所述碳氮化硅薄膜的膜厚为5-10nm，折射率为2.3-2.6。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池正面多层减反射膜，其特征在于：所述第一氮化硅薄膜的膜厚为25-45nm，折射率为2.2-2.3。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池正面多层减反射膜，其特征在于：所述第二氮化硅薄膜的膜厚为10-30nm，折射率为2.03-2.1。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池正面多层减反射膜，其特征在于：所述氮氧化硅薄膜的膜厚为5-10nm，折射率为1.6-1.9。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池正面多层减反射膜，其特征在于：所述氧化硅薄膜的膜厚为5-10nm，折射率为1.3-1.5。
7.一种权利要求1～6任一项所述太阳能电池正面多层减反射膜的制备方法，其特征在于：在经过制绒处理的硅片正面上依次沉积碳氮化硅薄膜、第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜。
8.一种太阳能电池，包含权利要求1～6任一项所述的太阳能电池正面多层减反射膜。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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