[发明专利]半导体工艺设备及其温度控制方法

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的温度控制方法，所述方法包括：

检测所述半导体工艺设备工艺腔室内加热器的实际温度；

确定所述实际温度所属的温度区间，其中，所述温度区间至少包括快速升温区、温度精调区和温度失控区；

根据所述实际温度所属的温度区间对应的加热策略，控制所述加热器进行加热。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多个温度区间是通过以下步骤设定的：

获取所述加热器的目标温度和预设的安全余量；

获取预设时间内的历史升温数据；

确定所述历史升温数据中的温度波动区间，基于所述温度波动区间、所述目标温度以及所述安全余量，确定所述快速升温区、温度精调区和温度失控区。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述温度波动区间、所述目标温度以及所述安全余量，确定所述快速升温区、温度精调区和温度失控区，包括：

基于所述温度波动区间的高峰值和所述预设安全余量，确定第一温度阈值，所述第一温度阈值大于所述目标温度；

基于所述第一温度阈值和所述目标温度，确定第二温度阈值，所述第二温度阈值小于所述目标温度；

将不大于所述第二温度阈值的温度区间确定为所述快速升温区，将大于所述第二温度阈值且不大于所述第一温度阈值的温度区间确定为所述温度精调区，将大于所述第一温度阈值的温度区间确定为所述温度失控区。

4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，根据所述温度精调区对应的加热策略，控制所述加热器进行加热，包括：

获取所述实际温度与所述目标温度之间的第一温度偏差值，以及上一次检测的实际温度与所述目标温度之间的第二温度偏差值；

基于所述第一偏差值和所述第二偏差值，确定实际温度的偏差值变化率；

基于所述第一偏差值、所述偏差值变化率以及预设的修正量确定规则，确定目标参数修正量；

基于所述目标参数修正量对所述加热器的控制参数进行修正，并基于修正后的所述控制参数控制所述加热器进行加热。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一偏差值、所述偏差值变化率以及预设的修正量确定规则，确定目标参数修正量，包括：

将所述预设时间内的历史升温数据与所述目标温度的偏差值划分为多个集合，并获取所述第一偏差值所属的第一集合；

基于所述预设时间内的历史升温数据与所述目标温度的偏差值，确定对应的历史升温数据偏差值变化率；

将所述历史升温数据偏差值变化率划分为多个集合，并获取所述偏差值变化率所属的第二集合；

根据所述预设的修正量确定规则，以及所述第一集合和所述第二集合，确定所述目标参数修正量。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，根据所述快速升温区对应的加热策略，控制所述加热器进行加热，包括：

控制所述半导体工艺设备工艺腔室内的辅助加热设备与所述加热器同时进行加热。

7.根据权利要求3所的方法，其特征在于，根据所述温度失控区对应的加热策略，控制所述加热器进行加热，包括：

控制所述加热器停止进行加热。

8.一种半导体工艺设备，包括：工艺腔室、加热器、温度检测器、继电器、控制器，其中，

所述加热器设置在所述工艺腔室中；

所述温度检测器用于检测所述加热器的实际温度；

所述继电器用于控制所述加热器；

所述控制器与所述温度检测器、所述继电器连接，用于确定所述实际温度所属的温度区间，其中，所述温度区间至少包括快速升温区、温度精调区和温度失控区；根据所述实际温度所属的温度区间对应的加热策略，控制所述加热器进行加热。