[发明专利]基于EBSD技术的镁合金拉伸孪晶体积分数的计算方法有效

专利信息
申请号: 202010504113.0 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN111678931B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 吴懿萍;熊汉青;谢邵辉 申请(专利权)人: 长沙学院
主分类号: G01N23/20058 分类号: G01N23/20058;G01N23/203;G01N23/2055
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 代理人: 李发军;曾利平
地址: 410000 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 基于 ebsd 技术 镁合金 拉伸 晶体 积分 计算方法
【权利要求书】:

1.一种基于EBSD技术的镁合金拉伸孪晶体积分数的计算方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:对拉伸应变为N%的镁合金进行EBSD测试,获得EBSD测试图,所述EBSD测试图包括测试取向图和对应的测试反极图;

步骤2:在所述测试取向图中,根据晶界取向变化标示出拉伸孪晶晶界;

步骤3:选出符合规定方向要求的晶粒,获得符合规定方向要求的晶粒的EBSD取向图和对应的反极图,所述规定方向是指晶粒的c轴平行于拉伸方向;

步骤4:结合所述步骤1中的EBSD测试图,去除所述步骤2中符合规定方向要求的晶粒的EBSD取向图中不符合规定方向要求的晶粒,获得完全符合规定方向要求的晶粒,从而获得完全符合规定方向要求的晶粒的取向图和对应的反极图;

步骤5:在所述步骤4中完全符合规定方向要求的晶粒的反极图中,将未发生拉伸孪晶所剩母体和拉伸孪晶分离开,获得拉伸孪晶的取向图和对应的反极图,以及未发生拉伸孪晶所剩母体的取向图和对应的反极图;

步骤6:根据所述步骤5中拉伸孪晶的反极图和未发生拉伸孪晶所剩母体的反极图,计算拉伸孪晶体积分数,所述拉伸孪晶体积分数的计算表达式为:

其中,fs为拉伸孪晶体积分数,P为拉伸孪晶的质点数,P为母体晶粒的总质点数。

2.如权利要求1所述的一种基于EBSD技术的镁合金拉伸孪晶体积分数的计算方法,其特征在于:所述步骤2中,在晶粒中产生拉伸孪晶后,晶粒的c轴会沿着方向发生86.3°的取向变化,根据该取向变化标示出拉伸孪晶晶界。

3.如权利要求1或2所述的一种基于EBSD技术的镁合金拉伸孪晶体积分数的计算方法,其特征在于:所述步骤3中,在HKL Channel 5软件中通过“Texture component”选项选出符合规定方向要求的晶粒。

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