[发明专利]具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法

说明书

本发明涉及一种具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底及第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层；在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基金属层邻接的氧化层，在第一导电类型外延层内沿着肖特基金属层和氧化层的结合界面下方设有终端外环，终端外环呈阶梯型结构，且终端外环的宽度从上往下呈逐层缩小设置。本发明利用阶梯型终端外环结构来有效调节优化分散平面型碳化硅肖特基两级管器件的表面电场强度，可以达到提高器件耐压、降低漏电电流并且可以进一步优化器件的可靠性。

技术领域

本发明属于第三代宽禁带半导体材料碳化硅肖特基两级管技术领域，具体地说是一种具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法。

背景技术

使用第一代半导体硅材料制作的肖特基两级管由于正向导通电压低，在逆向反偏电压操作时没有P-N结所造成的乏区恢复电流，所以特别适合高频率，低能耗的绿色电源应用要求。但是因为硅和肖特基金属界面的特性，硅基肖特基两级管器件的额定电压只能局限在12V到200V之间。处于第三代宽禁带半导体材料领域的碳化硅化合物，具有耐高压，耐高温，高热传导系数，非常适合高压大功率器件市场应用。

自从2001年第一颗600V碳化硅肖特基两级管市场商用化之后，碳化硅器件优异的电参数特性，已经给功率因数改善（power factor correction）, 光伏逆变器，交流到直流电源转换电路，新能源汽车等领域带来了全新的终端应用。但是由于碳化硅肖特基两级管的表面电场强度大约是硅材料器件的8到10倍，在肖特基金属层和碳化硅材料接触面之间的隧道（tunneling）效应和纳米洞（nano pit）缺陷都会扩大高温反偏电压下的漏电电流，这也一直是碳化硅肖特基两级管在终端系统应用上的一个可靠性隐忧。

发明内容

本发明的目的之一是克服现有技术中存在的不足，提供一种能减低表面电场强度、减少漏电电流和改善器件可靠性的具有阶梯环结构的肖特基两级管。

本发明的另一目的提供一种具有阶梯环结构的肖特基两级管的制造方法。

按照本发明提供的技术方案，所述具有阶梯环结构的肖特基两级管，包括平面型肖特基金属区和氧化层保护区，平面型肖特基金属区位于器件的中心区，平面型肖特基金属区包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底及位于第一导电类型重掺杂衬底上表面的第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，肖特基金属层作为器件的阳极，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层，欧姆金属层作为器件的阴极；所述氧化层保护区是设置在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基金属层邻接的氧化层，在第一导电类型外延层内仅沿着肖特基金属层和氧化层的结合界面下方设有终端外环，由第一导电类型外延层的上表面注入第二导电类型材料而形成所述的终端外环；且所述终端外环呈阶梯型结构，且终端外环的宽度从上往下呈逐层缩小设置。

作为优选，所述肖特基金属层的厚度为 100–1000 Å。

作为优选，所述氧化层位于芯片周围，包围保护位于中间的平面型肖特基金属层。

作为优选，所述第一导电类型为N型导电，第二导电类型为P型导电。

作为优选，所述欧姆金属层的材质为Ti/Ni/Ag合金或者Ti/Ni/Al合金。

一种具有阶梯环结构的肖特基两级管的制造方法包括以下步骤：

步骤一. 提供第一导电类型重掺杂衬底，在第一导电类型重掺杂衬底的上表面生长第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面为第一主面，第一导电类型重掺杂衬底的下表面为第二主面；

步骤二. 通过器件设计的图形化光刻板的遮挡，对第一主面进行第一次高温高能离子注入第二导电类型材料，在第一导电类型外延层内形成左右两个第一层的第二导电类型体区，注入结束后采用湿法腐蚀或是热HF去掉表面氧化层；