[发明专利]应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法有效
申请号: | 202010505539.8 | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN111633854B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 钱鑫;王艺澄 | 申请(专利权)人: | 江苏美科太阳能科技股份有限公司 |
主分类号: | B28D5/04 | 分类号: | B28D5/04;B28D7/04 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 王美章 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应用于 降低 ttv 单晶硅 切割 方法 | ||
1.一种应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,基于一种应用于降低TTV的硅锭的夹紧装置,装置包括:依次连接的第一垫条、第二垫条和粘结板;
所述第一垫条固定且平行于金钢线切割线网的走线方向设置;
所述第二垫条倾斜设置;所述第二垫条的一端固定在所述第一垫条上,另一端远离所述第一垫条以形成安装空间;所述安装空间内设置一调整垫片;所述调整垫片的一侧固定在所述第一垫条上,另一侧固定在所述第二垫条上;
所述粘结板平行于所述第二垫条;所述粘结板背向第二垫条的侧面上固定一硅锭;其特征在于,包括以下步骤:
(1)布置线网:在放线轴和收线轴之间布置金钢线切割线网;
(2)布置所述降低TTV的单晶硅片的夹紧装置:将所述第一垫条固定在位于切割线网上方的工作台上,并使得所述调整垫片位于第一步走线方向矢量的终点;所述第一步走线方向与正向走线的方向相同;也即第一步进线方向与硅锭(5)的进刀侧面(51)呈钝角;第一步走线是指切割开始时的走线,切割液喷在切割线网上与硅锭之间空间大,大部分的切割液从切割线网上流下,少部分附着在金钢线对硅锭进行切割,避免了金钢线大幅度抖动,进而控制了进刀位置TTV的产生;
(3)设定所述第一步走线方向的运行参数:在切割过程中,所述工作台带动工件的运行速度为1~1.4 mm/min ;所述金钢线的线速度为8~12 m/s;所述金钢线的进线距离为1000m;第一步走线方向的运行参数的设定为:工作台带动工件的运行速度为1.2 mm/min;金钢线的线速度设置为10 m/s;起始坐标为1mm;进刀面进入线网坐标为-1mm;切割距离2mm;需要时间100s;加速度8m/s2;加速时间1.25s;加速行程6.25m;
该工序中,通过固定走线方向,通过计算,保证理论匀速距离987.5m小于进线距离1000m,即可保证从硅锭刚进刀至硅锭的整个底面全部切割至完全进入切割线网内的过程中,始终保持线速不变且走线方向不变;
(4)切割硅锭:先采用正向走线的方式,对所述硅锭进行切割加工,再采用反向走线的方式继续对硅锭进行切割加工,直至切割完成,导轮转动带动金钢线切割线网在放线轴和收线轴之间水平运动,并按照进线多,回线少的方式,对下降过程中的硅锭来回切割,这个切割过程中保持持续的正反向走线,分为多个步骤,第一步进线1000m,回线995 m,第二步进线800 m,回线795 m。
2.根据权利要求1所述的应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,其特征在于,所述第二垫条为金属垫条。
3.根据权利要求1所述的应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,其特征在于,所述粘结板为一塑料粘结板。
4.根据权利要求1所述的应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,其特征在于,所述调整垫片的厚度为0.8mm~1.2mm。
5.根据权利要求1所述的应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,其特征在于,切割前,所述金钢线和所述硅锭之间的最小垂直距离为1mm。
6.根据权利要求5所述的应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,其特征在于,所述金钢线的出刃高度为3um~5um。
7.根据权利要求1所述的应用于降低TTV的单晶硅片的切割方法,其特征在于,所述金钢线的线径为53mm~57mm。
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