[发明专利]低压差电压调节器以及低压差电压调节器的驱动方法在审
申请号: | 202010505789.1 | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN112306138A | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 朴柱相;金亨宣;金亨奎 | 申请(专利权)人: | 美格纳半导体有限公司 |
主分类号: | G05F1/573 | 分类号: | G05F1/573 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 电压 调节器 以及 驱动 方法 | ||
1.一种低压差电压调节器,包括:
差分放大器,其被配置成通过将反馈电压与参考电压进行比较来输出放大电压;
传输晶体管,其具有连接至电力输入电压端子的源极端子、接收所述放大电压的栅极端子、以及用于输出输出电压的漏极端子;
分布电阻器,其连接在所述传输晶体管的漏极端子与接地端子之间,所述分布电阻器被配置成生成所述反馈电压;以及
浪涌防止器,其并联连接在所述差分放大器与所述传输晶体管之间,所述浪涌防止器被配置成根据控制信号将经调节的放大电压输出至所述传输晶体管的栅极端子中;
其中,所述浪涌防止器包括:确定器,其被配置成输出在初始驱动时段期间接通的使能信号;以及限制器,其被配置成根据所述使能信号输出所述经调节的放大电压。
2.根据权利要求1所述的低压差电压调节器,其中,所述限制器包括:
第一开关,其具有连接至第一节点的一个端部,所述第一开关被配置成根据所述使能信号来被接通和关断;
第一晶体管,其具有连接至所述传输晶体管的栅极端子的栅极端子、连接至所述电力输入电压端子的源极端子以及连接至所述第一节点的漏极端子,所述第一晶体管被配置成根据所述放大电压生成第一镜像电流;
第一电阻器,其被配置成使用所述第一镜像电流生成第一电压;
第二晶体管,其具有连接至第二节点的漏极端子、连接至接地端子的源极端子以及连接至所述第一节点的栅极端子,所述第二晶体管被配置成根据所述第一电压生成第二镜像电流;
第二电阻器,其具有连接至所述第二节点的一个端部,所述第二电阻器被配置成根据所述第二镜像电流生成第二电压;
第二开关,其连接在所述电力输入电压端子与所述第二电阻器的另一端部之间,所述第二开关被配置成根据所述使能信号来被接通和关断;
第三开关,其具有连接至所述电力输入电压端子的一个端部,所述第三开关被配置成根据所述使能信号来被接通和关断;以及
第三晶体管,其具有连接至所述第二节点的栅极端子、连接至第三节点的漏极端子以及连接至所述第三开关的另一端部的源极端子,所述第三晶体管被配置成基于所述第二电压将所述经调节的放大电压输出至所述传输晶体管的栅极端子中。
3.根据权利要求1所述的低压差电压调节器,其中,所述限制器包括:
第一晶体管,其具有连接至所述传输晶体管的栅极端子的栅极端子、连接至所述电力输入电压端子的源极端子,所述第一晶体管被配置成根据所述放大电压生成第一镜像电流;
第一开关,其具有连接至第一节点的一个端部,并且连接在所述第一晶体管的漏极端子与所述第一节点之间,所述第一开关被配置成根据所述使能信号来被接通和关断;
第二晶体管,其具有连接至接地端子的源极端子、连接至所述第一开关的所述一个端部的漏极端子以及连接至所述第一节点的栅极端子,所述第二晶体管被配置成根据所述第一镜像电流生成第一电压;
第三晶体管,其具有连接至第二节点的漏极端子、连接至接地端子的源极端子以及连接至所述第一节点的栅极端子,所述第三晶体管被配置成根据所述第一电压生成第二镜像电流;
第四晶体管,其具有连接至所述第二节点的漏极端子和栅极端子,所述第四晶体管被配置成根据所述第二镜像电流生成第二电压;
第二开关,其连接在所述电力输入电压端子与所述第四晶体管的源极端子之间,所述第二开关被配置成根据所述使能信号来被接通和关断;
第三开关,其具有连接至所述电力输入电压端子的一个端部,所述第三开关被配置成根据所述使能信号来被接通和关断;以及
第五晶体管,其具有连接至所述第二节点的栅极端子、连接至第三节点的漏极端子以及连接至所述第三开关的另一端部的源极端子,所述第五晶体管被配置成基于所述第二电压将所述经调节的放大电压输出至所述传输晶体管的栅极端子中。
4.根据权利要求1所述的低压差电压调节器,其中,所述确定器包括:
第一反相器,其被配置成将接收到的浪涌禁用信号反相以输出反相浪涌禁用信号;以及
NAND门,其被配置成接收浪涌使能信号、放大器使能信号和所述反相浪涌禁用信号,并且被配置成输出所述使能信号。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美格纳半导体有限公司,未经美格纳半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010505789.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。